TiO-%2c2-薄膜型氧敏元件地研究.pdfVIP

TiO：薄膜型氧敏元件的研究 Ti 02薄膜型氧敏元件的研究+ 徐明霞，徐艳姬，谢少桥，徐廷献 材料学碗，天津大学．中国天津300072,联系电话：022 e—mail：mxxu@e—you．com [摘要]利用溶胶一凝胶技术制备了氧化物掺杂Ti02薄膜型氧敏元件，研究了薄膜元件的阻温 特性和氧敏特性等。实验结果表明，w、Ce氧化物的掺杂促进TiO。薄膜表面微量氧化还原反应 进行，增加表面活性。使氧气灵敏度得到明显提高。通过贵金属的表面修饰，使氧敏元件的阻 温特性有明显的改善，尤其响应速度提高更为显著，氧敏元件有很好的抗老化性。 【关键词]’n02薄膜氧化物掺杂微量氧化还原氧敏特性响应速度 引言 Ti02半导体氧敏元件用作汽车发动机空燃比(A／F比)监控系统，因为不需要参比气体， 结构简单，成本低，所以从80年代以来一直为人们所关注”_3】。该元件的工作原理是通过表 面与发动机排放气体接触发生氧化一还原反应而导致敏感材料输出电阻(或电压)信号变化实 现检测A／F的目的。由于半导体敏感元件的阻值(R)往往随着温度(T)的变化波动大，在 200～800C范围，R值变化高达3～5个数量级”“】，干扰监控信号。前期研究获得在还原气 氛下(H2)烧成的氧敏薄膜，含有TiⅡo“I混合晶相，阻温特性(R—T)有明显的改变”】。由 于过渡金属是变价元素，其氧化物大多容易偏离化学计量组成，发生微量氧化还原反应和氧化 还原循环而增加表面催化活性“1，表面催化活性与薄膜表面氧敏性关系密切；再者，一些文献 报导了贵金属表面修饰对提高气体传感器性能有重要作用”’…。所以本研究通过氧化物掺杂和 贵金属的表面修饰薄膜，以期在空气气氛下烧成获得氧敏性和R--T稳定性好的氧敏元件。 1．实验 1 1薄膜型氧敏元件的制备 经多次浸涂薄膜厚度达到要求，加上电极和导线作成氧敏元件。 1．2测试 利用扫描电镜(SEM)和x射线衍射分析(XRD)分别检测了薄膜的表面形貌和晶相组 成；在氧化．还原气氛(02／N2--HffN2)下测定了薄膜元件的氧敏特性和阻一温特性。 2．结果与讨论 2．1薄膜烧成温度的确定 已有研究结果”。表明600～800℃下处理的薄膜以金红石(R)为主晶相及少量锐钛矿(A) 的混合晶型、随着温度升高锐钛矿减少，900。C时锐钛矿相的峰基本消失；800。C下处理的薄膜 +国家自然科学基金重大项目和国家自然科学基金项目(资助 618 第八届全国敏感元件与传感器学术会议论文集 与还原下低阻值(艮)之比表征的。认为n02薄膜中含有适量的A相有利于表面发生微量氧 化还原反应而提高了表面反应活性，同时R相的Ti02骨架有利于Ti02薄膜的氧化还原循环， 材料反复使用；再者，烧成温度600。C过低或900C过高会使膜层粒子发育不完全或者粒子过 大甚至黏结(由电镜可以看到)，都能造成灵敏度下降。因此以下样品烧成温度暂时定在800 ℃。 扫苫葛∞g∞ 2．2掺杂薄膜的氧敏性和阻一温特性 图二为不同掺杂的m02薄膜灵敏度变化曲线。可以看出，W03和ce02的掺杂量在一定 范围比纯净Ti02薄膜的灵敏度都有明显的提高：而V205与之相反，使灵敏度降低。认为W03 还原反应自由能低，易发生微量氧化还原反应而增加Ti02表面催化活性位；元素ce在氧化还 应能力。V205的掺杂降低灵敏度，可能是由于Vz05易形成玻璃相、熔点偏低，促进薄膜粒子 的黏结而使表面活性位减少，对比或0。的吸附反应能力减小。SEM观察可看到V205掺杂膜层 粒子烧结成大颗粒的情形Ⅲ。图三表示了掺杂ri02薄膜的阻一温特性。 6