电子束光刻中的快速邻近效应校正技术地研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届奎罔电子束·离子束-光子束学术年套 湖南-长沙 电子束光刻中的快速邻近效应校正技术的研究 郝慧娟张玉林宋会英魏强 (山东大学控制学院电子束研究所，山东济南250061) 摘要：通过预先建立校正过程中需要的各种规则表，校正过程中需要的参数通过查表获得，快速、 准确地实现用电子束曝光技术加IMEMS微器件中的邻近效应校正。采用局部和全局分层校正机制． 局部校正准确计算．全局校正以图形单元为单位进行近似估计，满足了校正精度和速度两个方面的要 求。 美键词：邻近效应校正，微机电系统，规则表 中图分类号：TN305·7 文献标识码：A 1、引言 mechanical electron 在微机电系统MEMS(Micro system)中，微器件无法用传统工艺加工完成111。 目前，电子束直写装置能把束斑聚焦到2rim，并已在微电子制造方面得到了广泛地应用和发展，如今 它又成为MEMS的重要加工技术。 在电子束光刻技术中，电子在抗蚀剂和基片中不断发生弹性和非弹性散射，最大距离可达到数微 米，因此抗蚀荆中某一点所吸收的能量不仅取决于该点入射电子的剂量，而且还会受到相邻曝光点的 影响。在较大曝光面积的中心，包含来自周围人射电子的很多分量，而在曝光图形的拐角和边缘处没 有接收到相同的总剂量。如果边缘处的吸收能量密度正好为显影阈值，则其拐角处就不能显影出所希 望的图形。当相邻的图形距离很近时，则产生共同的曝光效应，使相邻图形之间彼此向对方凸出和延 伸，甚至形成桥接现象9。因此，利用电子束光刻技术精确地刻蚀微器件．需要进行邻近效应校正。 邻近效应校正技术主要分为两类：一类是通过改变图形形状；而另一类是通过改变曝光剂量。在 剂量变化受到限制的电子束曝光系统中，通过改变图形形状实现邻近效应校正成为了唯一的手段。两 种邻近效应校正技术都要求进行大量的数值计算，所以目前采用的邻近效应校正软件速度较慢刚．随 着集成度的不断扩大，曝光图形中包含的图形数量不断增多，实现快速、准确的邻近效应校正是必须 的。 本文提出了一种通过查表方法提高邻近效应校正速度的图形形状校正机制。通过改变曝光图形 的尺寸，实现曝光图形边缘、拐角和连接点处曝光剂量的补偿，使曝光图形显影后与设计图形一致。 本文在两个方面提高了邻近效应校正的速度。一方面以图形单元为单位进行校正，而不是以像点 或曝光块151为单位；另一方面是通过查规则表代替直接计算。大量的数值计算在建立规则表前进行．这 些规则表格一次建立，重复使用。 兼顾精度和速度，我们采用分层校正机制：局部校正和全局校正。局部校正实现图形内部或邻近 国家自然科学基垒重大研究计划资助项目 山东省自然科学基金资助项N(y2003G03) 山东省科技攻关计划基金赍助项目(022090105) 一69— 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 图形引起的邻近效应的校正，而全局校正实现远距离曝光图形单元引起的邻近效应的校Jl 2计算模型 2．1倒易原理 为曝光强度分布函数。 如果电子束在P点入射，则在Q点接收到的曝光剂量为鼯F(n) 显然，EI=E2。 由倒易原理得[61，电子束分别在Qb口2A仇点入射，则P点接收到的曝光剂量为： I t 丘：∑毕∑“^) (1) ifl iffil 2．2计算方法 根据倒易原理，引入如下累积分布函数(CDF)‘计算曝光图形中各关键点接收到的局部曝光剂量。 I l CDF(k，z)：∑∑PSF(r)， (2) 卸i=0 其中，一、／孬厂，PSF(r)是在半径r处的能量沉积。 由定义可知CDF有如下属性： ①cDF(^。z)是对以(o，0)(^，z)为对