线切割硅片的表面损伤.pdfVIP

淀，形成不同形式的硅氧复合体，限制材料 载流子寿命，目前，研究者正在利用吸杂的 的光电转换性能。铸造多晶硅中的碳来自石 方法来减少金属杂质的影响。为了降低成 墨加热器或石墨坩埚，和直拉硅单晶相比， 本，铸造多晶硅的吸杂工艺应尽量与太阳能 其浓度较高。在同一晶锭中，上部的碳浓度 电池制备工艺相融合，因此，磷吸杂和独特 较高。在热处理中，如氧浓度低，则碳杂质 的铝吸杂在铸造多晶硅光电器件箭造中广为 很难沉淀。 研究和应用。 金■在蘑造多晶硅中能够严重翻约少数 、 ．+-‘， ’～I ． 刊；口够，／2p·r 樊瑞新一卢焕明 张锦心 杨德仁 朗端麟 ：’(浙江大学硅材料圈家重点实验室，,trot 310027) ‘摘要本文利用台阶仪、扫描电镜和X射线双晶衍射仪。,el-fC了线切割硅 片和内■切羽硅片的表面切搠损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度 大，外袁面损伤大j但囊伤晨的厚度要小于常规内田切羽硅片。本文还讨论了影响 残切捌硅片表面损钨盼可能露因。 、 1引夸 ． 耗较小，它是将200公里长的线型刀线，通 随着大规模集成电路的迅速发展，器件 过复杂的机械，绕成250条平行刀线。每次 制造对硅单晶的表面质量要求越来越高。硅 可切下250片，其产率是内圆切翻机的10 片经过切割、研磨和抛光后．加工损伤的程 倍以上。线切削因加工效率高，损耗少，适 度和深度是硅片质量冉联键0i4题之一。内圆 合大批量硅片加工，在国外太阳能电池的硅 切割机有其优越性，如技术成熟，刀片稳定 片切割上，线切翻得到广泛的应用。由于线 性好等等，有研究者近年已对内圆切割硅片 切割的优势，目前，国外正在研究如何将线 的损伤及作用机理，作了较深入的研究。赵 切割技术应用到大直径硅单晶上。作者利用 炳辉等认为损伤层近表面的微裂纹是使硅片． 扫描电镜、台阶仪研究了线切割硅片表面粗 强度大为降低的主要原因【IJ，杨德仁等认为 糙度，并利用x射线双晶衍射技术，研究 内圆切割硅片在一定应力范围内，硅片的切 了硅片的表面损伤大小及损伤层厚度，同 割速率，不影响损伤层厚度【2】。目前，硅片 时，还利用常规内圆切割硅片作对比实验， 的切割，大多采用内圆切割，但随着单晶直 并对所得结果进行了讨论。 径的增大。特别是12英寸以上的硅单晶， 2实验样品及测试 内圆切割机显得力不从心，因此，硅片的线 本实验所用样品均为Ar气保护cz 切削进一步引起人们的注意。另一方面，对 l∞硅单晶。线切割硅片由德国科耳公司 线切割而言，线锯直径小于178／．tm，切割损提供，直径为4英寸，厚度为383／,tm；内圆 ·94· 切割硅片由浙大半导体厂提供，直径为4英 割硅片最表面的半峰宽为54，而内圆切割 片的半峰宽为34，直接说明，由于线切割 寸，厚度为602p．m，在美国产Cl℃22英寸内 刀线的晃动，造成硅片近表面的一层损伤较 圆切割机上切割，刀片转速1623zIxt／min， 用水冷却。