氮气氛下快速退火对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 稀 有 金 属 U - 年 月 ’’0 VBC JU W J- 4X3!TAT Y9Z#!%[ 9M #%#T ST$%[A O8D J ’’0 ################################################################### 气氛下快速退火（ ）对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响! ! #$% 冯泉林 ，周旗钢，王 敬，刘 斌，刘佐星 （北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司，北京 ’’’(( ） 摘要：快速退火（ ）单晶硅片时，硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火（ ， ， ）后生 #$% (’’ ) * + , ’’’ ) - + 成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了 气氛下，不同 恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长 恒温时间，会增加 ! #$% #$% 氧沉淀密度。使用原子探针显微镜（原子力显微镜）研究了 后表面形貌的变化。发现在 气氛下 处理过的硅片，表面微粗糙度略有 #$% ! #$% 增加。 关键词：硅抛光片；洁净区；氧沉淀；内吸杂；原子力显微镜；微粗糙度 中图分类号： , 文献标识码： 文章编号： （ ） $!.’* / % ’0( 1 2’2- ’’0 ’- 1 ’(’ 1 ’* 随着集成电路制造工艺的不断更新， 制造对 光工艺（ ）。双面抛光工艺的使 34 OBHPC8IL;8 FBC;L+;= 衬底硅片的要求也不断提高。硅片表面的金属玷污 用意味着依靠在硅片背面引入吸杂中心的外吸杂 会导致栅氧化物完整性（ ）的破坏、 工艺将被淘汰。所以 硅片制造工艺中，内 5678 9:;8 3=78?;7@ .’’ EE 少子寿命的减少等一系列负面效应。在 ’’* 年的 吸杂工艺的作用显得更加突出。 （ 内吸杂是通过在硅片内部形成氧沉淀（ 3$#A 3=78?=67;B=6C $8D+=BCB@ #B6E6F GB? A8E;DB=HDI 9:@8= 7B? ）中，明确要求导致593 破坏性金属玷污的浓度不 Q?8D;F;767;B= ），作为吸杂中心，达到吸杂的目的。同 超过 ’ 1 时在硅片表层形成洁净区（ · ； ， 等与硅反应的金 ）作为器