氦离子辐照碳化硅晶体缺陷演化地研究.pdfVIP

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氦离子辐照碳化硅晶体缺陷演化的研究 李炳生1 张洪华2 张崇宏1 杨义涛1 李健健1 张丽卿1 张利民1 1.中国科学院近代物理研究所 甘肃 兰州730000 2.江西科技师范学院江西省材料表面工程重点实验室 330013 碳化硅材料拥有优越的高温强度、高导热率和化学惰性。另外,碳化硅材料还拥有 低的中子捕获截面,对中子有长期低活化特性。因此,碳化硅在先进核反应堆、核废料 处理装置等强辐射或高温环境中可作为一种理想的结构材料。由于在聚变堆和气冷堆 中,核反应产生大量的载能氦原子。

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