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Fe／$i多层膜的层间耦合与磁电阻效应的研究
童六牛，吴静，潘明虎。杜军，鹿牧，翟宏如
南京大学现代分析中心与国家微结构物理变验室，南京， 210093
捅鼗：本文报道在溉射的FelSi多层膜中发现的较高负磁电阻教应，醴电阻比为目前国际最
高值．并进而研究了屯子输运性质与层，Fo层，及整个膜厚的依赖关系．研究结果表明，
Fe／Si多层膜中的层闯耦台机制是与一般磁性金属，菲磁盎属系统的RKKY作用是一致的。
引言：自从在Fe,／Si多层膜中发现巨磁电阻效应以沫，人们对备种多层膜系统都进行
了广泛的研究。Inoma衄等人第一次报道了Fe／Si多层膜中的巨磁电阻效应，当si层厚
度不同时磁电阻效应存在两种不同的温度依赖性．并由此得出结论， Fe，Si多层膜中
的层间耦合是由窄带半导体Fe．si化合物中的局域态通过热激发导致的【1]。然而，
Inomata等人发现的磁电阻比仅为01--0
15％，曾有人怀疑如此小的磁电阻效应可能来
源于Fe层中的磁化强度的混乱分布，而并非反铁磁耦舍所致[2】。为了更好地理解Fe／Si
多层膜的层间耦台机制，有必要更细致的研究．
实验结果与讨论：我们用磁控溅射方法翩备了分别改变Fe层，Si层，和整个膜厚
的三个Fe／$i多层膜系列。样品沉积在玻璃基片上．溅射时背境真空度不低子5x10一
reTort。磁电阻测量采用四探针法，外磁场平行与膜面。
’Toll,氲气压维持在5
图】是墙=2．D35衄1的两个样品的大小
角XRD衍射图。由小角衍射峰得到的调
S
8 制周期要比设定值分别小o．90纳米和
§ 0．94纳米．这表明Fe与si层间存在相互
￡ ≮1 扩散．大角XRD表明，在t$3．0RIB时，
?
5 Ⅵ 、。。”
= 公式得到晶体相干长度t=25nm。而当ts}
{ ～I。坳。 3nm时，峰的半高宽变的很宽，相干长
度l=32rim。这表明中间层的晶体结构在
tsi3nIn时发生了变化．“si层”出现
了从晶态到非晶的转变。图2是实温和
图l 77K时第一个系列样品【Fe(3Ilrn)『鼬‰∞，o
的面内饱和场Hl，磁电阻比△R，R，电阻率p和电导I／凰随k的依赖关系。由图2可见，
在垴=19Im附近出现一反铁磁耦合峰，而在tsi3．0m时由于非晶硅的出现，反铁磁
耦合与磁电阻效应均消失。图3是第二个系列[Fe(￡F,ySi(19牡m)bo样品在实温和77K
时的面内饱和场H，，磁电阻比△肼t，电阻率p及电导l，Rb随‰的变化关系。其中AR／R
随tFc的变化关系可吼用多层膜的巨磁电阻公式加以拟含【31，如图中实线所示，并可估
算出实温和77K时的铁磁层中自旋向下电子的平均自由程(MFPWj,=13rIm(RT)，15
9咖1)]N样品随N的变化关系。面内饱和场
nnl(77K)，图4是第三个系370[Fe(3nm)／si(1
Hs随N的变化关系与之相类似。磁电阻比最高为△R／R=I％．磁电阻值△p=2衄cm，
可与Fe／Cr多层膜系统相比拟[4]．该磁电阻值是目前在Fe／Si多层膜中发现的国际最高
值。从以上结果可以得到如下主要结论：
1。在tsl(3
现非晶硅。
2。Fe／Si多层膜中的层问耦合与磁电阻效应的机制与铁磁，非磁金属多层膜系统相
同，反铁磁耦合是由金属Fo-Si化舍物中的传导电子的交换作用所致。
置
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