Si衬底上MOCVD生长GaN地研究.pdfVIP

2∞●●8月¨ ，卜卜置嘱●?■化●—■■●咋‘捌_鼻，—‘■灌—q■鼻¨■—峥毒—H臣 ，E，『九_●}■■——●—‘●一■‘●峨 Si衬底上MOCVD生长GaN的研究 唐海平，叶志镇。，朱丽萍，赵炳辉，洪炜，倪贤锋，赵浙 (浙江大学硅材料国家重点实验室，310027) 摘要 运用高温AIN缓冲屡在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构CaN。SEM测试微裂纹密度较低 (O002)面处于双轴张应力状态。 关健词：金属有机物化学气相淀积氮化镓外延生长 1 引言 金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统制备。这些衬底材辩有诸多缺点，如蓝宝石由于绝缘使 制作发光二极管的工艺复杂化，而SiC价格很高。同时，这些衬底和GaN都有很大的晶格失配和热 失配【3】。si片是较为理想的衬底，因为它具有质量高，尺寸大，成本低等许多优点。另外CaN外 延在Si上，极有可能将氮化镓基的器件集成到硅基大规模集成电路之中。然而，Si衬底也和GaN 存在很大的晶格失配和热失配。为了在Si衬底上获得高质量的氮化物外延层，大多采用两步外延法 有前景的方法。AlN和GaN的之间匹配比Si和CmN之闽匹配时有更小的晶格失配和热失配，并且 裂纹1．3tm厚的GaN外延层。 m以上的高质量GaN外延层。 厚的，裂纹问距在lOoi 2实验 基金项目：国家自然科学基金重点项目资助(No ’ yezz@zju．edu．cn 联系作者：叶志镇教授Emaih ．294- 2嘲年8．一j潼 第十罩0■●●化tq■牛●叶‘柠韩，—固‘■—巾毫■，I，—■b———蠢 量，F囊．■1■■■■埔●—Hp砷HH文 生长A1N缓冲层之前si衬底的氮化生成si 12．51 GaN，通人TMG和NH3分别为30i 为31m，样品表面光亮。 3 实验结果和讨论 图1是AIN缓冲层在1100。CNHs气氛中退火10分钟的原子力显 微(AFM)照片。表面比较平整、光滑，均方根粗糙度(RMS)为5．69nm· 可以看出A1N缓冲层将si衬底覆盖的很好，这可以有效的防止生长 罔l AIN缗冲屡AFM照片 GaN时衬底的氮化。说明A1N可以为以后CmN的生长提供一个很好 的模板。 O●“(∞口≈ GBHl盯I～●‘e“”1l 一rrSi5u} s4111t r… 。一 ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ m * 囝2 GaN／AIN／Si的Ⅺ∞衍射图 图3GaN薄膜表面的SEMll微像 -獬- 2∞4年8月抽 l十￡一套■化音-牛●俸材料、馘●件和光电-忡术●慢 置第九．■士■■．1唪aLm学本●慢 图3为GaN外延层的平面SEM图，可以看出表面平整．有一些裂纹出现，说明表面由于GaN和Si 的晶格失配和热膨胀系数的失配，在生长完后降温时存在张应力【8】而导致微裂纹。 量较高。 々]曼辛#c壹￡