电子聚焦电场增强辉光等离子体离子注入的研究.pdfVIP

第十一次全国焊接会议论文集 电子聚焦电场增强辉光等离子体离子注入研究 李刘合11朱剑豪5 a北京航空航天大学，机械学院，材料加工与控制系，北京，学院路37号，100083 b香港城市大学，应用物理及材料系，等离子体实验室，香港，九龙塘，达之路 摘要：本文提出了一种新型的等离子体基离子注入方法一电子聚焦电场增强辉光等离子体离子注入，介绍了该方 法的基本结构，并计算了该方法电场等势面分布．采用该方法．进行了硫元素的离子注入，采用x射线光电子能谱深度剥 层分析的方法测量了注入硫的深度分布。并采用TRIg程序对注入结果进行了模拟对比分析。 关键词：辉光等离子体、离子注入、电场 Enhanced PlasmaIon Abstrsct：ElectronFocusedElectricField Glow flewion Discharge Implantation．8implantation structure method．is inthis base ofthe isintroducedTheclectron．focusedelectricfieldis presentedpaper．The implanter calculatedfiniteelementmethodsAndasa sulfurelementis intotheSiwafer．The is by example．the implanted depthprofile obtainedXPS results TRIMsimulationalealso Method，md∞a by given by comparison，theusing field． Keywords：Glow implantation，electric dischargeplasma,ion 0．引言： 但是，目前全方位离子注入技术的使用中还 存在有一些缺陷：首先，离子注入的时候，注入 多年来，离子注入一沉积技术已经广泛应用 离子的轮廓受到鞘层厚度的限制，而鞘层的形成 在材料的表面改性、半导体掺杂等各个领域 跟工件的形状有密切的关系，因此，对于非圆球 形状的工件，其形成的鞘层曲率可能普遍小于工 [1，2，3】，自美国Conrad教授于1986年发明了全 方位离子注入(浸没式等离子体离子注入一沉积) 件本身的曲率，这样，在孔隙、罅缝、棱角、边 的方法后，离子注入一沉积技术的应用范围更加 缘等地方，注入剂量不均匀；第二，在注入过程 广泛[．】。全方位离子注入可对大尺寸、不规则复 中，随着离子的消耗，电子向边缘的驱离，二次 杂形状的工件进行的表面改性。起初，针对全方 电子的产生等，工件上连续施加负偏压的时间不 位离子注入的研究局限于导体半导体材料的表面 能过长，过长会使得鞘层扩展到真空室壁引起打 改性，目前可以进行改性的材料已经扩大到金属、 火或熄灭：第三，由于等离子体的产生通常需要 陶瓷、半导体、有机聚合体等多种材料。它可对 复杂的辅助设备，无形中会增加全方位离子注入 材料的物理及化学特性如硬度、摩擦学特性、抗