Au-Si面垒探测器与其在鉴别带电粒子研究中的应用.pdfVIP

全国第十二届核电子学与核探测技术学术年会论文集 of the12thNational Conference Proceedings onNuclear Electronics＆Nulear Detection Technolo盯 Au—si面垒探测器及其在鉴别 带电粒子研究中的应用 王柱生 (中国科学琬近代物理研究所，甘肃兰州730000) 搞要：简要介绍了制作厚度为450pm，直径为鹋I姗的Au—Si面垒揉铡器的主要工艺流程及该探铡器的主要性 墼!量童螫同时具体介绍了通过调节探测器上的偏压，改变Au-Si面垒探铡器灵敏区厚度。实现对不同能量、种类带 电粒子的鉴别方法，并将该方法应用于鉴别D—D和D—T核反应中出射的带电粒子。 关键词：金硅面垒探测器；能量分辨率；带电粒子秽鉴别 ， 0引言 众所周知．Au—si面垒半导体探测器能量分5rain。选好光亮镍面作为欧姆电极．然后进行 辨高，脉冲上升时间快，线性响应好，使用方便 第2次研磨抛光无痕(∞8、∞0、t014、m10、u7、 m3．5)。把磨好的硅片装在专用的聚四氟乙烯 等优点。特别是禁带宽度比锗宽(Si1．12eV，Ge 0．665 架上，在超声波清洗机的作用下进行清洗。用 cV)，因而可以在室温下工作，所以，被广 泛应用于核科学、航天科学、天文物理、生物医 三氟乙烯或甲苯、丙酮、无水乙醇各清洗两遍， 学和环境监测等方面。我所在开展重离子核物 约8min，把欧姆电极镍面用真空密封胶(三氟乙 理研究中，大量使用了自主研制的Au—si探测烯溶化)保护后进行腐蚀(腐蚀液HNO，：HF： 器。由于在重离子引起的核反应中．反应产物 比较复杂，于是要求探测器系统不仅能够测量 工艺流程如图1所示。 粒子能量，而且还能鉴别出不同粒子。所以对 于Au—si面垒探测器的形状、厚度、有效面积、 能量分辨率要求比较严格，为了满足核物理研 究和核试验的要求，我们做出了厚度为450pm， 有效直径为∞8一的Au—Si面垒探测器并成功 地应用到鉴别核反应中的不同带电粒子产物。 1探测器的制造工艺 1．1材料的有关参数 所应用的材料是N型硅单晶，其主要参数 为：电阻率(1—3)kn·cm，少数载流子寿命 图1 Au—si探测器制作工艺流程图 1000t』s．无位错，厚度600pm。 1．2探测器制作工艺流程 2探测器的性能 首先用空心钻头把硅片割成≠12一圆片， Au—si面垒探测器是典型的PN结探测器。 再将切割好的硅片进行粗磨(tll28)。然后清洗 其探测带电粒子的基本原理是通过收集射线在 c‘H。，N：0，： 镀镍(H20商纯水：NiCI：6比0：Na3 PN结区产生的电子和空穴对来实现对能量信 H20：NII,CI：NH。OH=1000(mL)：309：号的测量。因此，探测器灵敏区的厚度是非常 NaHP02 -242· 重要的参数之一。对同一种带电粒子，探测器 和加速器上产生的D—D质子对探测器进行刻 的输出信号幅度与带电粒子在灵敏区所沉积的 度。并利用刻度过的探测器实际鉴别氘离子轰 能量呈线性正比关系。当探测器处于全耗尽状 击氘