Ni%2fPt硅化物温度稳定性地研究.pdfVIP

Ni／Pt硅化物温度稳定性的研究 黄伟 张利春 高玉芝 金海岩 卢建政 张广勤 (北京大学微电子研究院北京 100871) 摘要：本文对比研究了夹层结构Ni／Pt／Ni分别与掺杂P型多晶硅和n型单晶硅进行快速热退火形成的硅化 物薄膜的电学特性．实验结果表州：在600℃～800℃范围内，掺Pt的NiSi薄膜电5且牢低且均匀．比具有 低电阻率的镍硅化物的温度范围扩大了100℃～150℃．并且依据吉布斯自由能理论，对在Ni(Pt)si薄膜中 掺有2％和4％的n样品进行了分析．结果表明：掺少量的Pl可以推迟NiSi向NiSi2的转化温度，提高了镍 硅化物的热稳定性．最后，制作了I—v特性良好的Ni(POSi／Si肖特基势垒二极管，更进一步地证明了掺少 量的Pt改善了NiSi肖特基二极管的稳定性． 前言 硅化物具有能承受高温热处理、能选择腐蚀、薄膜电阻率低等特点，因此在超大规模集成电路 米浅结工艺中钴消耗si原子较多。镍硅化物具备无线宽效应、无桥连现象、薄层电阻小、低温退火 严重退化。因此如何提高NiSi的稳定性是目前急需解决的课题。在本文中，在掺杂P型多晶硅和n 了其原因。 实验步骤 的n型单晶硅片。常规清洗后用HF：H20=l：20溶液漂洗，然后立即放入溅射室溅射15nmNi／1．5nm Pt／15nm 化物中Pt含量． 结果和讨论 Ni／1．5nmPt／15rim 图l给出15nm Ni夹层结构分别在P型多晶硅和n型单晶硅上进行快速热退 Ti／30nmNi合金结构在浓度为 火后，硅化物薄膜电阻值随RTP温度变化规律，以及采用Cap30nm 中掺少量的Pt可使镍硅化物的温度窗口扩大100U～150U。 图1．Ni／Pt／Ni和NiSi(Ti Cap)硅化物薄膜电阻与RTP温度关系 ‘lo；*zw皂}=c3 uI 2●(del) 图2．11-型单晶硅上的Ni／Pt硅化物XRD分析 下面将从相的转变来阐述掺Pt的NiSi薄膜的稳定性。图2给出15nmNi／1．5nmPt／15nmNi在n 明NiSi相变过程与图2相同。因此掺Pt的方法可以改善由单晶硅或多晶硅形成镍硅化物的温度稳定 性。 采用Ni／Pt／Ni夹层结构能够使镍硅化物的热稳定性得以改善，其主要原因就是少量Pt的掺入阻 (Si)，故未掺Pt的镍硅化物吉布斯自由能的改变△Gl=--9 的改变△G2=(1一x)G1(NiSi =(1一X)G‘(NiSi)+xG。(PtSi)一T△S。…而A Ni △Gl—RT[xlnx+(卜X)In(1一X)][6]。另外借助卢瑟福背面散射实验，对15rimNi／1．5nmPt／15nm 曲线数学拟合可得到在上述样品中Pt含量为4．2％。 ：： ：： ●。。O 黜