NH-%2c3--MBE+GaN极性探究.pdfVIP

GaN极性研究 NH3-M_BE 王军喜+王晓亮孙殿照刘宏新胡国新李晋闽曾一平林兰英 中国科学院半导体研究所材料中心北京100083信箱扛幽埘@嘲Lj蛐血监越 -曩氰化肆(GIN)材料在光电子和徽电子镘域具有t曩的应用港力．而材料极性对氰化锋材料及嚣件每有着重量的影响·我们 撖麓辞方法对所生长的氰化悻材料的极性进行了研究．宣墨霍耳测量显示氰化镓外廷囊的电子迁移奉高达290cmX／V．s· 关■啊：氰化碡．极性，电子迁移翠，分予柬外延 、 1．引言 GaS是一种重要的氮化物材料，由于它有宽的直接带隙和优良的热稳定性及化学稳定性． 在光学和电学方面具有重要应用潜力“，在军用和民用两方砸具有广阔的市场前景。目前GaN 基发光器件、探测器都已经实现了商业化生产。因此近年来GaN材料受到了广泛重视，由于 GaN材料的极性对材料和器件的性质有很大影响，因此成为目前研究的热点． GaN材料主要有两种极性，即镓面(Ga)极性和氮面㈣极性。这方面的研究最早是由 Sasaki5报道的，此后极性的研究成为氮化物研究的热点。研究结果显示极性对单晶材料的表 面形貌6、生长过程中的RHEED图案7、二维电子气的浓度和迁移率以及高电子迁移率晶体 管的性能都有着极为重要的影响。一般来说，具有镓面极性的GaN材料是希望获得的材料， 因为它对提高材料的质量和器件的性能都是有益的。 GaN单晶外延材料。通过使用RF．MBEGaN模板，获得了高质量的镓面极性GaN外延材料， 使用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学腐蚀和原子力显微镜等方法确定了材料极性。霍耳 测量显示其室温电子迁移率为290cm2／V．s。 2．实验 本实验采用的GSMBE系统是改造过的国产Ⅳ型MBE设备，该系统包括生长室、进样室 和分析室。经过处理的蓝宝石衬底先进入进样室，然后经分析室除气后进入生长室．材料生 长时用分子泵和液氯冷屏维持生长室的真空度。生长GaN外延层所使用的氮源为高纯度的 NH3，流量用质量流量计控制；镓源用固态源，其纯度为7N，其束流强度由源炉的温度控制。 rain，氮化温度为700-800。C， 生长前首先在生长室里对树底袭面用氨气进行氮化约20 树底湿度降到500．．．600。(3低漫生长约100A蜉的AIN缓冲层，然羼势滋生长GaN多}延层。对 生长GaIN外殛层。整个生长过程中使用反射高能电子衍射仪实时监测。 用化学腐蚀方法对生长后的样品进行了极性鉴别，采用1：1的氢氧化钾水溶液作为腐蚀 剂，在室温下将样品浚润在腐蚀液中大约一个小时，然后取出用去离子水冲洗以便进行进一 IIIa型原子力显擞镜(接 der 触模戏)埘腐蚀翦居的样品表嚣形貌进褥了戏测。并粥VanPauw法澳4量了钤延炭的攀容 迁移率及背景载淡子浓度等榉是的电学性囊。 3．缩果与讨论 层和生长时的WⅡI比等。为了确定所生长样品的极性，必须选择合适的方法对其进行鉴别。 露构，丽氮匾极性材料则为Ixi再构8。对于化学腐蚀，攘据文献报道9，镓嚣极性材料对于 强碱溶液瘸蚀具有羝摭性，露氮嚣极性妨料爨溶予强碱溶液。茄一令鉴别极性豹重要方法就 燕在鞭子力显徽镜下镓器辍性材料静表看耍运沈氮瑟极性材料平整”。搬据这些方法，我稻使 鬻原彼RHEED蚕案、纯学祷蚀和原子力驻微镜三种方法对样品的极性进行了鉴别。实验翁果 在表1种列出。 由表1可见，根据KOH化学腐蚀和AFM表面测试结果。我们可以初步判定第1组样品 具有氮面极性丽第2、3组样品具有镓面极性。因为第l组样品缀过腐蚀后，袭面明显由明亮 交得粳糙，肉眼也W辨别。褥第2、3组样品经过腠蚀恁，光论用肉§曼还是光学显擞镜都来腿 测至4毒孝辩表露形貔的变化。缀子力显微镜袭垂观测涯实了化学腐蚀懿结鬃。鬻一为第1缝样 nm，腐蚀看表 菇瘸镰蘸典型的表嚣形貔，斑舞哥见袭嚣苓平攘，英表瑟糕糙度(RMS)为1,5 蕊茵糕糙商无法用探子二孽显徽镜进行袭面观测。图二为第2、3