V-%2c2-O-%2c5-薄膜的微观结构与电致变色特性的研究.pdfVIP

V20s薄膜的微观结构和电致变色特性的研究4 潘梦霄1)2)曹兴忠2)3)李养贤1’王宝义2’魏龙2” 。’(河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津300130) 2’(中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室，北京100039) 3’(兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室，兰州730000) 薄膜，即沿C轴垂直村底方向取向生长的薄膜。并测试了薄膜具有优良的电致变色的特性． 引言 V205薄膜由于其独特的结构和在光学、电学等方面的特殊性质。在近几十年成为研究 的热点之一。主要应用于电变色器件、光学开关、传感器、微电池和智能窗材料等111。 A，b=3．56 V205属于钙钛矿结构，斜方八面体(a=11．51 A，c=4．37A)，具有层状结构。 如图l，每层可以看作由畸变的四方棱锥体V05连接而成，从另一层引入第六个氧原子，各 层连接构成高度畸变的八面体V205晶体1210 ．∈ ‰p． i、／ 辘o v205 图1V205的晶体结构 V205薄膜的制备可以采用多种方法，如蒸发，溅射，溶胶凝胶法，电化学沉积及脉冲 激光沉积等p4】。由于不同方法得到的薄膜其化学组分和微结构有所不同，V205薄膜的光电 性能存在显著差异。因此，如何制备性能好、成本低的V205薄膜一直是研究的重点。通常 采用磁控溅射法可以得到均匀性、粘附性较好的致密的薄膜。本文采用直流磁控溅射方法制 电致变色的特性，变色性能优良。 实验 200W，溅射薄膜前在只通氩气条件下预溅射10～20分钟，以清洗靶面。样品在管式石英退 火炉进行真空退火，450C保温3小时。 x’Pert 薄膜厚度测量在台阶式膜厚测量仪上进行。采用Philips MPD型X射线衍射 ’国家自然科学基金资助和中国科学院知识创新经费支持． ’联系人E-mail：—weilta．ih—cD．ac．cn K 仪分析薄膜的晶体结构，选用射线为cua线。在PHILIPSXL30W／TMP型扫描电子显微镜 光光度计上测试薄膜的透射光谱。 实验结果与讨论 首先对直流磁控的反应溅射中，氧分压对溅射速率和薄膜成分的影响进行了测试，结 果如图2所示。可以看到，在氧分压为O．1Pa附近溅射速率迅速F降，这是由于在钒靶表面 形成氧化层的缘故”J，并在溅射中会影响薄膜的成分。XRD结果表明，在氧分压0．1Pa附近， 得到的Vox薄膜成分复杂，x值在2附近变化，在玻璃衬底上观察到薄膜颜色为蓝黑色。当 氧分压大f等于0．12Pa后得到的薄膜成分均为V205，薄膜颜色为V205的典型颜色橙黄色。 这说明直接溅射V02薄膜的氧分压区域非常窄，且不稳定，但可以直接溅射得到成分稳定 的v20s薄膜。 II!目，【§警墨§占 图2vo。薄膜的沉积速率随氧分压的变化 采用XRD进一步分析在Si(100)衬底上不同氧分压溅射的薄膜及退火后薄膜的结晶取 宽(FWHM)变窄，可以认为v205沿C轴垂直于衬底，即a、b轴平行于衬底的方向取向生长， (001)晶面平铺在衬底上【6，7】。在溅射时对衬底加热不同温度制各得到的V205薄膜的生长取向 没有改变，而(001)晶面的FWHM随衬低温度的升高而变窄，如图3，衬低温度200℃时， 邑