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量子点CdS修饰纳米结构TiO2复合膜的光电化学的研究.pdfVIP

量子点CdS修饰纳米结构TiO2复合膜的光电化学的研究.pdf

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2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 郝彦忠’,王伟 (河北科技大学,理学院,石家庄,050018) 本文用原位化学法制备ITO/Ti02/Q—CdS(Q代表quantumdots),用光电化 学方法研究了ITO/Ti02/Q.CdS膜电极的光电转换性质。 1实验部分 1.1ITO/Ti02电极的制备参考文献【1】 1.2ITO/Ti02/Q.CdS膜电极(以下称为修饰电极)的制备参考文献f2】 2结果与讨论 图lITO/Ti02/Q—CdS多孔膜的原子力显微镜图 图,从图上明显可以看出有Q.CdS的存在。 由图2可知在可见光区修饰电极有明显的光电流,这说明修饰电极使光吸 收截至波长发生了明显的红,说明Q.CdS明显的起到了敏化作用。 从图3可以看到波长为495nm时Q—CdS薄膜开始有吸收,可以计算出其禁 V(相对于饱和甘汞电位), 带宽度为2.51eV。由图4可知,CdS膜的平带电位为。O.6 由于饱和甘汞电极相对于氢标的电位为0.242V,所以,其相对氢标电位为一0.842 eV(相对真空 能级)。其价带为.6.168eV(相对真空能级),能级结构图如图5所示。 北省教育厅指导性项目(批准号:Z2005203) 329 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 7口 ●● ●● ,稿 登:10 。秘 10 ● 30●-●槲 000 PPO(100 m#●400哪O 000SDO 枷_ l^._ 图2ITO/Ti02多孔膜电极(a)和ITO/Ti02/Q-CdS(b) 图3 0.3 V(SCE)孔膜电极的吸收光谱图 从图5可以看出,由于量子尺寸效应的结果,使Q—CdS的禁带宽度由块体 的2.42 eV[21增加到2.51 纳米Ti02多孔膜电极中,能带不弯曲,带边随电位的变化而移动[31,在较长波 长光激发下,Q.CdS产生的电子可注入到Ti02导带上,由此起到敏化作用。 4000 厨he=0 35呻 IO帅 2500 20蛐 §m- ,O∞ 5们 l {OO 图5电势与光电流作用曲线 图6能级结构图 3结论 利用光电化学方法确定了Q—CdS膜的禁带宽度为2.51 复合电极明显使光电流产生波长红移,光电转换效率明显提高。 参考文献 【1】郝彦忠,武文俊.高等学校化学学报,2005,26(6):1098 Weller 【2】Vogel&HoyerE H.J.Phys.Chem,1994,98(12):3183 【3】郝彦忠,蔡春立.化学学报,2006,64(4):283

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