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第46卷化学专刊 武汉大学学报(自然科学版)
2000年3月 J.WuhanUniv.(Nat.Sci.Ed.) Mar.2000,216~218
文章编号:0253—9888(2000)S1。0216—03
Tb3+激活的氯钨酸镧发光材料的研究
冯伊利1,袁良杰2,孙聚堂2
(1.青海师范大学化学系,西宁810008;2.武汉大学化学系,武汉430072)
摘要:采用高温固相反应法合成了一系列掺杂Tb3+的氯钨酸镧荧光体,测定了其激发光谱和发射光谱,研
究了基质组成、配位结构、激活剂浓度、助熔剂、灼烧温度及反应气氛等因寡对发射强度的影响.研究结果表明:当
基质组成为LaW¨O¨CI、Tb¨浓度为4tool“、灼烧温度为10001C时.样品发射强度晟大I添加适量的MgC]z、用
N:作保护气氛可使发光强度大幅度提高.
关键词:镧;铽f氯钨酸盐}发光于了冲4
中围分类号:96}t戈 i
激发光谱、发射光谱和发射强度
0 引言
2结果与讨论
掺杂三价稀土离子的钨酸盐在紫外光激发下可
产生绿色发光,关于其发光和能量传递机理已有很 2.1激发光谱和发射光谱
多报道“脚.Tb”离子激活的单一碱土金属钨酸盐 无掺杂的LaWO。C1在液氮温度下可产生蓝色
和混合碱土金属钨酸盐的发光特性与晶体结构、碱 nm,激发光谱峰值位
发光,发射光谱峰值位于450
土金属的离子半径及碱土金属钨酸盐之间的混溶性 于300Tim处[s],其激发态的能量主要来自O“一
有密切关系[3“].但是,对影响Tb”激活的氯钨酸w”的荷移跃迁,但是在常温下它的发光效率很
镧发光强度的各种因素进行系统研究尚未见报道. 低.掺杂Tb”离子氯钨酸镧在紫外光激发下可产
本工作旨在合成一系列掺杂Tb”离子的氯钨酸镧, 生非常强的绿色发光,其激发光谱和发射光谱如图
系统研究影响发射强度的因素及原理. 1所示.位于489、543和585nm处的发射带分别
1 实验
.Tb。07和La:O。的纯度为99.99%,W03、
恺
NH。C1和NaCO。均为分析纯. 嘿
靛
将La。O,、NH.C1、Tb。O,按一定化学计量比研
粤
h,制得
磨混合均匀,在400~450℃加热反应2
t
LaOCl
Tb”.然后与WO。按一定化学计量比磨 八一
l
均,在900 ooo℃灼烧,即得到一系列La、w、Tb
摩尔比不同的氯钨酸镧:铽的荧光体粉末样品. a,nm
用Sh[madzuRF一5000型荧光分光光度计测定 图1 LaW¨O¨CI:Tbn“的激发光谱和发射光谱
籍il!冒19誊99-舄11嚣-1科594妻7舞妻茗是露蔑;{☆:譬蔷嚣;:;}嚣b料研究作者陶升r玛伊利(1一).女一耐教授,现从事固体光转换材料研究
化学专刊 冯伊利等:Tb抖擞活的氯钨酸铺发光材料的研究
跃迁发射,激发光谱与LaWO.CI相似,峰值位于
值.再增加Tb”浓度,发射强度反而下降.这是因
315
nm处.由此可见,在这类化台物中w—O激发为随着Tb”浓度增大,使Tb”离子之间的距离逐
态的能量能够有效地传递给Tb
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