Co38(MgF2)62纳米颗粒膜的巨磁电阻效应的研究.pdfVIP

Co。。(MgF：)。：纳米颗粒膜的巨磁电阻效应研究‘ 池俊红，刘春明，李成贤，葛世慧 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室兰州730000 利用制频共溅射方法制备了Co。(MgF：)。：纳米颗粒膜，系统的研究了薄膜的微结构、磁性和隧道融电…(’lMR， 敬应ax射线衍射结果显示，颗粒膜是由3urn左右的Co颗粒均匀地镶嵌在晶态的MgF：绝缘介质中而彤成：通过 测量不同外磁场下薄膜的零场冷却和场冷却曲线可知，薄膜的颗粒间存在着较强的相互作用：颥粒膜的11MR值室 温下为-8％．液氮温度下为一9 3％．TMl卜11曲线可用Inoue理论并考虑颗粒尺寸分布很好地拟台。 引言 最近．由磁性金属颗粒均匀地镶嵌在非磁绝缘介质中而形成的纳米颗粒膜引起人们越来越大的 研究兴趣。该颗粒膜中的隧道磁电阻(TMR)效应起源于相邻铁磁颗粒之间自旋相关的隧道效应． TMR值的大小不仅与薄膜的微结构和磁化状态密切相关，而且lj磁性金属和绝缘介质的选择有极 大的关系。到目前为止，人们己对许多颗粒膜系统的TMR效应进行了研究，但对于Co．MgF：颗粒 膜TMR效应的研究目前还未见报道。在本文中，我们详细地研究了Co．MgF：颗粒膜的微结构、磁 性和TMR效应的关系。 实验 ’ o×100Pa。采用x射线光电子谱和X射线能量色散谱 射时本底真空优于8×10一Pa，溅射Ar气压为l 相结合的方法确定颗粒膜的成分，利用x射线衍射研究薄膜的微结构，用超导量子干涉仪测量颗 粒膜的零场冷却和场冷却曲线，薄膜磁电阻的测量采用传统的四探针法，测量叫磁场和电流均在膜 面内且互相垂直。 结果和讨论 5。附近出现的衍射峰列应于fccCo(200) 图1是Co，。(MgF2)。颗粒膜的x射线衍射图。图中在20=51 峰，该衍射峰的宽化是由于膜中Co颗粒的尺寸比较小的缘故。利用谢乐公式D：!：!型一和衍射 ,5(20)OOS0 mun。 峰的半高宽6(2研可以估计颗粒的平均尺寸约为3 值得注意的是在20=42 l。附近出现了MgF2的(2lo)衍 射峰；表明膜中的MgF：介质是晶态的，这与其它颗 粒膜系统中绝缘介质为非晶态有着显著的不同。 图2是不同外磁场下C03。(MgF：)＆颗粒膜的零场 冷却(ZFC)和场冷却(FC)曲线。从中可以看出， 当温度比较高时．薄膜处于超顺磁态，ZFC和FC曲 线重台，磁化强度随温度的变化是可逆的，当温度低 于超顺磁阻截温度后，ZFC和FC曲线分离，磁化强 29，。 图1cq“MgF矗n颗粒膜的X射线衍射图n 度的变化是不可逆的，ZFC曲线在阻截温度1二。附 近出现峰值。随外磁场的增加，阻截温度L。逐渐减小，表明薄膜颗粒间存在着较强的相互作用。 磁场n勺增加使颗粒阃的耦合作用减弱，拉大j，磁矩为正和为负的超顺磁颗粒数目的差距·从而增加 了超顺磁的温度依赖性，导致L．。的减小，这与Roshoko等人预言的结果一致【l】n另外，我们发 现随外磁场的增加，ZFC曲线峰形的宽化程度井没有明显的改变，表明曲线峰形的宽化是由于颗粒 ’国家自然科学基金资助的课题． ‘69‘ 的尺寸存在分布引起的。 以看出，室温下的TMR值为·8％，液氮温度下略有增加为’9 3％．说明薄膜的TMR具有弱的温度 依赖性．根据Inoue理论(2】．薄膜的TMR可以表示为