AlGaN%2fGaN异质结构的掠入射同步辐射衍射的研究.pdfVIP

AIGaN／GaN异质结构的掠入射同步辐射衍射研究‘ 谭伟石，沙昊，杨立，蔡宏灵，昊小山，蒋树声 (南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093) 郑丈莉，贡全杰，姜堍明 00039) (中国科学院高能物理研究所北京1 GaN是一种宽禁带的直接跃迁型半导体兰色发光与激光材料，基于 方面的研究得到飞速发展【1。】。A1GaN和GaN两种材料之间的晶格失配以及不同 的熟膨胀系数所导致的应变及其弛豫状态影响着AIGaN／GaN界面的二维电子气 密度并进而影响器件的使用性能【4．61。本文利用掠入射同步辐射X射线衍射 7BN，GiN异质结构的微应变状态。 (GIXD)技术测量和表征了Alo．22Gao 成，其结构为：GaN缓冲层生长温度为488℃，然后在1071℃生长厚度为2．0u AIo．22Gao 78N AlGaN，GaN沿(0001)方向外延生长。 掠入射x射线衍射实验在北京同步辐射实验室漫散射实验站的五圆衍射仪 上进行。x射线波长为1．53684 A，光斑尺寸为0．1×l册2，探测器前接收狭缝O．05 嘲。衍射强度采用Nal闪烁计数器记录。实验配置及样品调整见文献7。 波长为九的X射线在物质中的折射率为18j： 押=1一占一泸 (1) 式中艿=r,p．牙／2,，卢=肼／4=，‘是经典电子半径，P。是物质中电子的平 均密度，Ⅳ是x射线的线衰减系数。faO)式可见，相对于真空或空气，x射线 在介质材料中的折射率小于1。当x射线相对于介质表面的掠入射角小于某个临 界值以时，在介质表面发生外内全反射现象。根据折射定律可知， ·A (2) 髓。兰√2万=,／r．pZ,V 式中P为介质的质量密度，Z和A为介质的原予序数和原子量，N。为阿佛伽德 罗常数。对于GaN，波长为1．53684A的x射线的全反射角约为0．339。。当x 射线的掠入射角of小予临界角口，时，在垂直于介质表面方向x射线的穿透深度 为： (3) t=g／2zr428一sin2口 ‘曩纛自然科学羞金赍助项目(90201039) 当a大予临界角a。时，X射线的穿透深度由，=∥一1计算。由此可见，通过改变 【a(。)0．1 O．2 0．3 O．330．4 O．5 O．6 O．8 1．O 】．2 1．6 2．O i t(A)43 51 88 1752453063674896127349791224 图1所示为不同掠入射角时A1GaN／GaN(1 1芝0)晶面的0／20扫描的X射线衍 射谱。随掠入射角口的增加，衍射峰向低角度～侧移动。由衍射峰位置计算得到 的薄膜面内点阵参数与掠入射角的关系示于图2，图中用虚线同时示出了GaN 和Alo22Gao 78N的晶格常数a。从图2可以看出，随着穿透深度的增加，N／t莫N 图I不同掠入射角时样品的(1 圉2面内点阵参数与掠入射角的关系 120)X射线衍射谱 内点阵参数a由表层的小于aA眦2G。o 78N，逐步增加，当口=1．6。(穿透深度979A1 时，a接近于aGaN，这结果表明样品内部的应变是不均匀的，由表层的横向压应 膜厚度增加而逐步弛豫的结果，这与我们利用倒空间Mapping研究微应变及其 弛豫的结果是一致的。从图l还可以看出．当掠入射角接近临界角时，衍射线强 度最大，当掠入射角偏离临界角时，衍射线强度逐步下降，这可以从实验配置和 试样吸收得到解释。 参考文献