太阳电池窗口材料地研究.pdfVIP

太阳电池窗口材料的研究 任慧志孙建侯国付薛俊明张德坤朱锋耿新华 (南开大学光电子所天津300071) 摘要：用P型微晶硅(Plac--Si：H)或微晶硅碳薄膜(P a-SiC：H)作非晶硅 p．c--SiC：H)代替非晶硅碳(P 薄膜太阳电池的+窗口材料，可以显著改善电池TCO／P+界面和叠层电池隧道结的接触特性，提高电池的填 充因子和转换效率。本文采用七室连续RF．PECVD系统，通过调节衬底温度及精确控制B2H5的掺杂量， 制各出了电导率达到10’1s／cm量级，光学带隙大于2．2eV的优质P型微晶硅碳窗口(P gc--SiC：H)材料。 引言 近年来，由于薄膜太阳能电池以及传感器、薄膜晶体管等领域的巨大应用前景，氢化微晶硅(u 响电池整体性能的重要因素，其带隙的宽窄、电导率的高低将直接影响电池的短路电流及填充因子 --2 响到电池性能的进一步提高。 P型氢化微晶硅碳(u 电池的隧道结接触层[4—5】。P型u 具有相同的电导率和光学带隙，而且稳定性更好。 为了在保持微晶硅高电导率的前提下进一步提高带隙宽度，本文研究了通过控制掺杂率和衬底 温度的方法来提高P型氢化微晶硅碳(uc—sic：H)的电导率和光学带隙。 实验 样品是在七室连续沉积一PEcvD的设备中制备。为使样品制备的初始条件一致，我们设定每 次实验时沉积室的真空度、沉积室的加热时间和样品的预热时间都保持一致。本实验所有样品的衬 样的碳掺杂配比。制各样品的衬底温度分别为150℃、175C、190C；N 617型繁用表完成。材料的光学带隙通过测量 斯分布拟和获得晶化率。电导率的测量是通过Keithly 垂直入射状态下的透射谱和反射谱，然后用Tauc公式计算取得。 结果和讨论 1．衬底温度对P型微晶硅碳电导率和晶化率的影响 本文为了研究温度对P型微晶硅碳的影响，为了只考虑温度对微品硅的电导率和晶化率的影响 173 而排除其它因素的影响，本次实验在这几个样品制备时在除衬底温度之外保持压力、功率等其它 斛 S 咯 (n∞一量∞c粤点 400 450 500 550 600 黑潦糍裟溜 150160170180190200 wavenumber(cm’1) 温度 (℃) 图1本征微晶硅在150℃、175℃-190℃、 200℃的Raman谱． 图2本征微晶硅晶化率随衬底温度变化曲 线．衬底温度分别为150C、175(2、190C 沉积条件—致。 和200℃ 底温度的本征微晶硅基础上适量掺杂。 图1和图2为不同衬底温度的本征微晶硅材料的a．alnan谱和晶化率图，从图中可以看出，在150 ％，随着温度继续从175℃升高到200℃晶化率又随着增大到Xc=68％。 图3为在不同衬底温度本征微晶硅基础上适量掺杂后的P型微晶硅碳电导率随温度变化图，对 照图2、图3可以看出材料的晶化率和电导率变化趋势