熔体外延法生长的截止波长8-12μm+InAsl-xSbx单晶的透射光谱的研究.pdfVIP

第十m．qlt■化●●●牛●俸．鼍照●‘■中主t●¨+擎丰●哇 熔体外延法生长的截止波长8—12 InAsl．xSbx单晶的透射光 pm 谱研究 高玉竹1，龚秀英1，山口十六夫2 (I同跻大学电子与信息工程学院，四平路1239号，上海200092，中国) (2静冈大学电于工学研究所，滨拴市城北3—1—5．滨松432--8011，日本) 摘要t用熔体外琏法在InAs村底上成功地生长了截止波长为8--12I吼的InAsl。sk单晶．用红外光谱仪测量了样品的透射光谱。提出 了组分微观分布函数的概念-井计算了一十h跏单晶和三十不同组分的InAsI。sbI样品的透射光谱．结果表明，实验铡得的样品的截止 波长与理论算得的数据基本一致，从而证实了熔体井延法生长的InAol。sbI单晶的禁带宽度变窄的现象．井认为组分微观分布的不均匀 性可能影响m．v篪混晶的能带结构． 关键词：髂体外延；截止波长；透射光谱；徽观分布 PACC：7340G中图分类号·0612．5文献标识码tA 文章编号： 1引言 我们在以前发表的论文中提出了一种新的晶体生长法一熔体外延法，用此法已成功地生长了截 止波长为8．12 用多种手段研究了材料的光学，电学及结构性质。结果证明，这些材料具有很好的单晶取向结构， 均匀的组份分布以及根高的电子迁移率。本文报道用富里叶红外光谱仪研究InAsSb外延单晶透射 光谱的结果。引入了组分微观分布函数的概念，并在此假设条件下计算了一个InSb单晶和三个不 同组分外延样品的透射光谱。结果发现，实验测得的样品的截止波长与理论计算的结果基本一致。 文中提出，半导体混晶中存在的这种组分微观分布不均匀性可能会对材料的能带结构产生影响， 增加其弯曲参数，从而使禁带宽度变窄。 2实验与测试结果 用于测试的InAsSb，[-延单晶是在液相外延生长系统中用熔体外延法于石墨舟中在约600。C下生 长的。原材料是7N的m InAsSb的生长过程已经在前文中发表过了【141这里不再重复。 InAsl。Sbx外延层的透射光谱是在日本静冈大学电子工学研究所用富里叶红外光谱仪 温透射光谱曲线。这三个样品的组分和测得的截止波长分别为： 圈I三个组分不同的InA|sb外延样品的室 言 温透射光谱曲线 ． Fig．1Roomtenl脚岫自1litt蛆傀目培ch4 詈 for 3InAssb with epilayemmm∞Ⅱt∞m叫6∞ 量 爱 雹 ■ Wavelength(pn1) 自然科学基金f批准号r 60376{102) 删t信作者．E-mail：鼬鲫迪唑@鳓地纽碰童必K留 2l 事十一l●■■暗曲阜■_．■t照l件和走tIl件尊木●-巍 彬x=0．946，X；9．5 显为长，即用熔体外延法生长的材料的禁带宽度变窄了。由图1还可看出，当波长超过样品的本 征吸收边后，透过率迅速下降。这是由于样品中的自由载流子吸收引起的。 3理论计算 众所周知，在Ⅲ一V族混晶半导体中，组成原子在其晶格上的分布是不规则的。所以，在InAsSb 外延层中，尽管测得的组分的宏观分布是很均匀的，但实际上，In、As和Sb原子在其品格上的 分布是不均匀的，也就是说，在InAsSb等混晶半导体中存在着一个微观的组分分布函数。我们 假设，这是一个指数函数，并可以下式表示： Y=aexp[-b(：-x)] (1) 式中Y表示微观的组分分布函数，X是hSb的组分，a=I，而b是一个参数。 1积分x等于从0到1积分Y的 一半： 丐 1 I．