快重离子引起的潜径迹的研究的新进展.pdfVIP

快重离子引起的潜径迹研究的新进展‘ 侯明东刘杰王志光金运范孙友梅段敬来宋银 (中国科学院近代物理研究所兰州730000) 摘要快重离子与物质的相互作埘E经成J,s--个重要的诱人的领域。快重离子能够在几 个纳米园柱体内有效地引起相变。在电子阻1I体制r荷能离子引起的径迹可以在很多科学和 技术领域中有广泛的应用。本文评述了径迹形成物理机制和径迹应用研究的国际现状。 关键词潜径迹电子能损热峰模型离子峰模型 住过去的二十年里，在世界范嗣儿乎所有的人碰加速器上完成了人萤的重离子实验，极 人地加深和丰富了对快重离子与物质相互作川的丁解【Il。除了理论上的重大进展之外，在应 川领域也展示了广阔的前景，核径迹技术就是一个迅猛发展的分支。重离子束已经成为在微 米和纳米尺度上改变材料结构的『：凡。一个儿卣MeV能区的单个重离子在物质中引起一串 连续的损伤，这种损伤在横向只有儿个纳米．典，性K度是儿十微米。这样的离子径迹是由己 剧烈改变并与周围邻近完全不同的材引组成的。很多极不相同的l青|体都能记录离子的径迹， 特别是所有的绝缘体，如聚合物平¨无机I卉|体．以及某些选择的、r导体和金属。为制备出材料 结构的图形，106一lO”离子／cm2范罔的荆昔是足够的．这个刹最使州通常的儿个nA(相当 3-10”离子／S)束流强度可以很容易达剑。如果需要释迹重迭的话，利J丰|更火些的通鼙可以 达到10”离子／cm2的剂鼙。闪此重离子嫩是一个州想的加I．I：具，它能在可控制的条fl：r， 住纳米尺度上政变物理雨『化学性能。宽前天1：重高1：径迹年Il他们的席州的研究土要是在能给 山2MeV／u以上能量离子的人7融的加速器装置f：进行的．最近的研究表明在能把质量100amu 的离子加速到儿十MeV能龄的小g!Dn速器上也可以提供各种荚丁．径迹的有趣的现象。 1能量沉积过程 入射离子在穿过物质的路榉上j二要通过一个过徉把它仃J的能量传递给州体：(1)在～ 100keV／u的高能区，是通过与原子的电子相且作J17，使之电离利激发(称之为电子能损Se) i21。在1MeV／u时，Se至少比Sn人二个数量级。冈此，对快重离子，能量主要是沉积在辐 j；!}c材料的电子体系中。在沉积丁电子体系的能昔最终被转换为原子的运动之前，电子的数目 雨I迁移率起着十分关键的作川口l。但这种情况要比通过原子碰撞把能量赢接交付给品格的核 阻IP过群复杂得多。另外入射离子的能量沉积是不均匀的，径向的分布基本遵循1／r2的规律， 其中r是距离子路径中心的径向距离HJ。定性地可以分成_二个特征的区域：(1)一个约几个 nm的径迹芯，在这个芯中沉积在电子上的能鼙密度很高，人约是～20eV／atom。(2)一个约 +国家自然科学基金项目 】7l 几百am的径迹晕，它要比径迹芯人得多，但沉积的能量密度却很低，只有～O．2eV／atom。 要指出的是沉积的能量密度依赖于离子的速度：对于高速的入射离子，能量沉积散布到一个 更大的半径。对于相同的电子能损，能耸密度冈离子速度不同可以变化一个数量级p“J。 2无机材料中离子径迹的形成 在各种无机材料中，包括金属”1、、r导体|8】和绝缘体【9‘“，都已经观察到了潜径迹。但 对离子束的敏感度和径迹的本性却强烈地依赖丁材料的性质和结构。图1表示了潜径迹的半 径作为电子能损的函数。由图可以清楚地看出，品态的Si0211II晶态的Fell”和非晶态的铁 基合金Fe8581，㈦有不同的行为。在品态的Fe中缺陷产生的Se阂值要比晶态的Si02大一个 数量级，成为绝缘体比金属具有更高的敏感度的明显的例证。事实上，在所有的绝缘体中都 能形成径迹，而仅仅在某些挑选的纯金属中才观察剑电子能损引起的损伤¨J。在品态的jF导 体中，情况还不十分清楚ll“。尽管住某些化合物、』，导体中能形成径迹，但仅仅是在像C。。 那样的低速团簇具有很高电子阻Ir本领时才出现在纯品态的si和Ge中ll’”J。实验还发现， 1r品态材料要比晶态材料在一个较低的Se值就对离子辐照敏感lI”，不依赖于它们是金属、 、r导体，还是绝缘体。 径迹最重要的性质之一是释迹的形态是电子