陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶地研究.pdfVIP

陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究 顾亚华1 许 颖1 叶小琴1 王文静1 李海峰2 万之坚2 1北京市太阳能研究所，北京，100083 2清华大学，北京，100084 摘要：不采用隔离层和盖帽屡结构可简化区熔再结晶工艺，在陶瓷衬底上制备出高质量的多 晶硅薄膜。实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶瓷，采用快速热化学(RTCVD)方法 生长，然后用区熔再结晶(ZMR)方法使籽晶层在高温下熔化并重新结晶，晶体质量得到改善， 并且颗粒尺寸增大了几个数量级，迭到几十个微米甚至毫米量级，符合制作太阳电池的要求。 实验中络出了用X射残衍射方法作出的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到的 表面形貌。 关键词：陶瓷薄膜 区熔再结晶 晶向颗粒尺寸 this ofzone Abstract：In paper，simplifiedprocess melting silicon were onthelowcOSt studied．HeavilyP+dopedpolycrystallinelayers doped A1203 ceramic substratesthermalchemical meansofZMR byrapid vapordeposition(RTCVD)．By siliconfilms orientation．Andthe ofthefilms method，the got was preferred grain greatly wasintheorderoftensofmicrometerormillimeter，whichmeetsthe enlarged．It necessity ofsolar without and showed a[so these cells．Samplesinsulatinglayer cappinglayer good results．Theseresultsjndicatedthatourmethodhas for great potentialphotovoitaic applications． thinfilmZMR orientationsize Keywords：ceramic crystal grain 1引言 释放出极少量的杂质，使得阻挡层的作用不是很明 显。我们的构想是沿袭前人的区熔再结晶过程，只 制作较低成本、较高效率的基于陶瓷衬底的多 是采用较厚的P+籽晶层，使本来就少量释放的杂质 晶硅薄膜太阳电池，是目前太阳电池工作者研究的