涂敷法制备的碳纳米管阴极的场发射的研究.pdfVIP

涂敷法制备的碳纳米管阴极的场发射研究 王琪琨朱长纯 (西安交大电信学院真空微电子研究所，西安，710049) 摘要：本文研究了用涂敷法制备碳纳米管场发射阴极的工艺，热解法it,l+l的 碳纳米管经过研磨，再与粘合剂、有机溶剂混合，直接涂敷在硅基底上， 用二极管结构测量了其场发射特性，其开启电压为1．25—1．5V／l皿，电流 密度在5V／岬时达到了42山／cm2．浆料中粘合剂的比例增大时，制备的碳 纳米管阴极场发射性能会有所降低，在外电场下进行阴极涂敷会改善其场 发射特性。 关键词：涂敷法，碳纳米管，场发射特性，粘合剂 一引言 场发射阴极是场发射平板显示器的核心部分，过去多用Si、Mo、金刚石等材料制成尖锥 阵列或薄膜作为场发射阴极。最近，碳纳米管以优良的场发射特性受到人们的极大关注 [1][2]。碳纳米管较以往的场致发射阴极有更尖锐的发射尖端、更高的机械强度和化学稳定 性，并且材料来源广泛，制备工艺相对简单，容易在工业上进行大批量上生产．用碳纳米管 作为阴极材料将可能使平板显示技术发生革命性变革。目前，碳纳米管场发射阴极制作主要 获得有利于场发射的定向排列的碳纳米管场发射薄膜，但其工艺过程中要对衬底加高温，不 适于在