外延La2%2f3Sr1%2f3MnO3薄膜与Ag掺杂的La2%2f3Sr1%2f3MnO3薄膜的显微结构研究.pdfVIP

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  • 2017-08-15 发布于安徽
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外延La2%2f3Sr1%2f3MnO3薄膜与Ag掺杂的La2%2f3Sr1%2f3MnO3薄膜的显微结构研究.pdf

的显徽结构研究 贺连龙 詹倩 于荣 李斗星 中闻科学院套属研究所同体原予像开放研究实验室沈阳110016 界面明锐.掺杂的Ag原了不能替代进入LSMO晶格中t而可能偏聚于晶界并在髓后辨沉积和迢火过程中墓新薰发. 引言 La.。~MnO,(A,二价碱金属)外延薄膜是一种典型的庞磁电阻材料(CMR),其被感的潜在应用 价值和所包含的复杂的磁交互作用机理,成为近年来磁性材料研究和凝聚态物理学中的一个重要课 题。元素掺杂和显徽结构的复杂性必然强烈影响这种材料的磁性能和电性能.所以本文研究了外延 结构的影响. 实验方法 。 750C。薄膜原位保持1h.缓慢冷却。氧压始终保持o.2mbar。制备适于电镜观察的横截面和平面 样品,并川JEM.2010高分辨电镜和HF-2000场发射枪电镜对样品进行结构表征和成分分析。 ’ - 结果与讨论 · LSMO薄膜横截面的低倍形貌像示于图l,薄膜与树底的界面平直、明锐.薄膜厚度均匀,约 为130Dm左右。圈2为包含衬底和薄膜区域的复合电子衍射谱.由于LSMO薄膜与LAO村底晶 格常数的微小差别,衍射斑点沿径向方向分开。圈中箭头所示为l^0’参考衍射斑点.可见LSMO 的点阵常数略人于LAO。LSMO和LAO界面的典型高分辨像示于图3,表明界面处于半共格状态。 由于薄膜与衬底的品格常数的差别,必配位错在界面形成,平均间隔大约15姗左右。在界面处还 观察到明显的应变衬度。在掺杂LSMO薄膜中也观察到类似的横截面形貌像和选区电子衍射谱, 且点阵参数没有明显发生变化。为进一步阐述Ag掺杂对LSMO薄膜的影响,研究了两种薄膜的平 面样品.无掺杂的LSMO薄膜显示出晶粒结构,晶粒尺寸约为35-60nm,形状不报规则.近似于矩’ 形或方形。一些晶粒之间形成无序区或空位区。这些区域与晶粒的结合较弱。在离子减薄中易被 优先打掉从而形成图中较亮的白色衬度区,如图4所示。而对于Ag掺杂的LSMO薄膜却根难辨别 出清晰的晶粒形状和晶界位置。在掺杂LSMO薄膜的不同区域随机选取数个澍试点,对其进行成 分分析.只有少数儿个EDS谱显示出微量Ag的存在,典型结果如图5所示。可见Ag并非以置换 形式存在于LSMO晶格中.在其他实验条件相同的情况下,是由于Ag的掺杂,影晌到了LSMO 薄膜的生长机制。分析认为,在沉积过程中Ag原子可能被排斥至晶界并使界面能升高.Ag的熔点 仅为962℃,在较高沉积温度下其饱和蒸汽压很高.大约在数量级l×I驴Tor一.所以在随后的堀 积及原位退火过程中,Ag重新蒸发,而晶界发生了迁移以降低系统的能量。 国家自然科学基金资助项目No.5007】063 参考文献 C.Kon Xu 【U g’s.Y and砒z.Zhou,Rev.Sci.Instrum.,690998)I 【2】z.Moshfegh.VQ.Wang,YY .8. 图1 LSMO/LAO横截面形貌像 圈2图1的电予衍射花样 图3 LSMO/LAO界面的HREM 图4 LSMO薄膜的平面形貌像 例5掺Ag的LSMO薄膜的EDS .9-

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