水系蚀刻聚酰亚胺地研究.pdfVIP

2003年全国高分子学术论文报告会 杭州2003年10月9-一14日 水系蚀刻聚酰亚胺的研究 迈矗瞳王维顾宜* 高分子材料工程国家重点实验室，四川大学高分子科学与工程学院， 成都，四JII，610051，g女Yig卫!iQB§!§￡女!!亟女：!旦 聚酰亚胺材料以其高耐热稳定性、高绝缘性、高物理机械强度及低介电常数等优异性能， 被广泛用于大规模集成电路的介电绝缘层、芯片钝化层、a粒子屏蔽层、平坦化层和微机械 制造技术等。此时，通常需要对PI层进行蚀刻，以形成微细的联接通孔或联接窗口。借助特 殊的光致抗蚀剂，利用PI在特殊溶剂(如阱、浓硫酸)中的溶解性或利用PI前体在有机溶剂 中的良好溶解性，可对其进行化学蚀刻，但这种方法蚀刻速度慢，蚀刻精度不够，且伴有严 重的环境污染(1)。利用PAA在碱性水溶液中良好的溶解性，借助其他光致抗蚀剂，实现PI 应用，但出于商业原因，未见详细报道，本文就这方面作了初步研究。 一．实验操作 按常规工艺制备10％PAA的NMP溶液，加入三乙胺作稳定剂，浇注成膜，预烘；以无 锡阿尔梅公司的A．32型光致抗蚀干膜为抗蚀层，以四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液为显影 和蚀刻液，对PAA胶膜进行水系蚀刻，工艺如下： PAA胶膜L——-J预烘0一贴覆光致抗蚀膜L+I曝光L刊显影I L．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．—J L．．．．．．．．．．．．．．．—J I．．．．．——．—．．．．．．．．．．．．．．．—．—．．．_J L．．．．．．．．．．．．．_J L—-—．．．．．．．．．．_J 广————]厂————————]广————————] —-J蚀刻L一热酰亚胺化L+I蚀刻PI薄膜l 1．．．．．．．．．．．．．．一1．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．_J I．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．_J 在四氢呋晡／甲醇(80：20)混合溶剂中制备PAA胶液，加入三乙胺成盐后，用去离子水 溶解，真空50。C抽出溶剂，制得10％的PAA水溶液，浇注成膜，预烘，测溶解性。 二．结果与讨论 实验结果表明，三乙胺的加入，对PAA胶膜在4％TMAH溶液中溶解性影响不大，预烘 温度应低于100。C，超出此温度，部分酰亚胺化可使其溶解性显著下降。在非水介质中，室温 下，三乙胺不易挥发，可保持其水溶性。但在水介质时，经1004C预烘处理，PA．A胶膜仍有很 好的水溶性。 考察了不同PAA胶膜，室温存放一定时问后，对其热酰亚胺化膜性状的影响，其结果见 表1和表2。由表可见，在NMP非水介质中，三乙胺的加入，可有效防止PAA分子降解，提 高其储存稳定性。储存较长时间后，热酰亚胺化膜的性状和力学性能仍可很好保持，这与文 献报道一致嘲。以水为介质时，经热酰亚胺化后，不能得到完整的PI膜，这可能因为体系中 大量的水介质，在热酰亚胺过程中引起PAA严重降解所致。 hr；②曝光：1000w高压汞 酰亚胺。初步优化的工艺条件为：①预烘：80。C，740mmHg，4 S， s，25C；④蚀刻：4％TMAH水溶液，100 灯，25cm，60S；③显影：1％TMAH水溶液，80 25C；⑤热酰亚胺化条件同表1。温度高于200C，光致抗蚀干膜自动分解，消失。最终制得 膜厚为20_+2um，蚀刻精度为线宽，线距=60urr960um的蚀刻PI薄膜，如图1所示。 ．4+77 2003年全国高分子学术论文报告会 杭州2003年10月争一14日 表1 PAA胶液室温存放时间对其热酰亚胺化膜性状的影响 +：成膜完整，有韧性， 耐折；±：成膜完整，