P型量子阱太赫兹振荡器地研究.pdfVIP

p型量子阱太赫兹振荡器的研究 曹俊诚李爱珍封松林 (中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室，上海，200050) 个十分活跃的前沿领域。理论计算表明，NEM p却+二极管在直流偏置下将形成动态高场畴，高场畴 的周期运动可产生交变的自振荡电流。在适当的偏压和掺杂条件下．自振荡频率可达太赫兹频段。本 文将从理论上研究直流偏置下NEMp’P+二极管的自振荡特性及白振荡频率对直流偏置的依赖性。 我们从p型GaAs基量子阱价带的基态色散关系的实验结果拟合得到如下的能量一波矢关系[1_4— 7】， 觚，=圭陪一黔eo+4A2+c] 重空穴有效质量．氏和△为两个与能带有关的能量参数，C；√s；+4△2。当M_÷m，色散关系(I) 转变为抛物带。我们采用非抛物平衡方程理论[8】计算了具有色散关系(1)的NEM半导体的输运特性。 eV，A=0．02eV。 计算中．我们取卅=0．085m。(这里m。为自由电子质量)，M=0．44mo，氏=0．1 考虑的散射机制有：空穴一杂质散射，空穴一声学声子散射(包括形变势耦合和压电耦合)，空穴一极 化光学声子散射以及空穴一非极化光学声子散射。 E(kV／ore) 图1：NEM半导体空穴漂移速度与电场的关系曲线。右轴为对应的迁移率。 图1给出了计算得到的NEM半导体空穴漂移速度vd与电场E的关系曲线。抛物带情况下(圆点)· 漂移速度随电场增大而迅速增加：而在负有效质量情况下(方点)，漂移速度与电场的关系呈“N”形 状变化：图1实线为解析拟台负有效质量情况得到的结果：图1右轴所示为对应的负有效质量情况下 4二 的解析迁移率，／a。=-Vd，E，它被代入瞬态漂移扩散模型和泊松方程计算直流偏置下NEM芦‘PP 极管的电流自振荡特性。总电流密度J(，)定义为传导电流密度与位移电流密度之和。 在NEM 散关系(1)具有负微分有效质量，P+PP’二极管中形成高场畴『9，101。高场畴自二极管的阴极向阳极 的周期运动导致自振荡电流的产生。图2给出了NEM p+pp。二极管在不同偏压条件下电流密度随时间 周期变化的灰色密度图，其中明亮的区域对应较大的电流密度。图2的右边部分为对应的自振荡频率 V变化到0．15 THz上升到2．6 与偏压的关系。当偏压p■从o．415 V时，自振荡频率正从0．6 THz。据 此，NEMP。PP+二极管可望作为可调频的THz振荡源。 图2：NEM ppp+二极管在不同偏压条件下电流随时问周期变化图。 右边部分为对应的自振荡频率与偏压的关系 啸霖院士及H．c．Liu博士的有益讨论。 参考文献： 【I]Z．S．Gribnikov,A．N．Korshak，andN．Z．Vagidov,J．Appl．Phys．，80，5799(1996)． V 【2】A．N．Korshak，Z．S．Gribnikov,N．Z．Vagidov,and VV 【31 Mitin，J．Appl．Phys．，87,7466(2000)． Z．S．Gribnikov,N．Z．Vagidov,A．N．Korshak，and x J．C．Cao，H．C．Liu，and 【41 L．Lei，J．Appl．Phys．87，2867(2000)．