高介电常数介质对电容层析成像传感器灵敏场影响地研究.pdfVIP

第 卷第 期增刊 仪 器 仪 表 学 报 年 月 # # %% @ 高介电常数介质对电容层析成像传感器灵敏场 影响的研究! 邵晓寅 冀海峰 黄志尧 李海青 浙江大学工业控制技术国家重点实验室 浙江大学控制系仪表研究所 杭州 #$%%’( 摘要 以有限元仿真实验为基础 通过高介电常数介质在 传感器内不同分布时灵敏场的比较研究 结果表明 传感器内部 ) *+, ) ) 各处灵敏度变化不仅与管内高介电常数介质的大小和分布有关 还与该点在灵敏场中所处的位置有关 总结一般规律为 高介 ) - . 电常数介质所在的区域以及附近的区域灵敏度变化最大 越靠近电极附近的区域灵敏度的变化越大 高介电常数介质对灵敏场 / / 的影响在传感器内部呈马鞍形分布- 关键词 层析成像 有限元 灵敏场 传感器 01234567889:1;58=?@=9A9:1B=:02C;1D6:9567EF096;=1=G=14@=;1B=C21=56 HIJKLMJKNMO PMQJMRSOT QUJOTVIMNJK WMQJMXMOT e ) e ) YZ[\]^Z_‘abcZd]fg^hij[k\Z_l]^[k]_mano^]_]pb qar[]fl]^[k]_sn\a^naZ^ht^p\^aak\^p ) ) }~!!#) ( g^j[\[i[a]fui[]vZ[\]^g^j[kiva^[Z[\]^ woax\Z^py^\zakj\[b {Z^p|o]i lo\^Z ) $C;1BD:1 %MOTRMOM’SS(S)SO’)S’IK* ’ISSOM’M+M’N*M’,M-U’MKOUO*S,*MRRS,SO’*M’,M-U’MKOKRIMTI*MS(S./ e ) M.U-’JO.S0S,S.J(.U(J’S* 1N.K)2J,MOT’ISSSOM’M+M’N*M’,M-U’MKORKUO*’IJ’’IS*M’K,’MKOKR’ISSO/ ’, ) M’M+M’N*M’,M-U’MKOIJ,S(J’MKO0M’I’ISM3SKRS.’MKOKR’ISU-’JO.SM’2KM’MKOMO’IS*+,SOK,JO*J(K e ’2KM’MKOMO’ISSOM’M+M’N*M’,M-U’MKO ,IS*M’K,’MKOM’ISISJ+MS’0IS,S’ISIMTI*MS(S.’,M.U-’JO.SM(K/ M e e .J’S* ,IS*M’K,’MKOM)K,SISJ+MS,0ISO’ISU-’JO.SOSJ,’K’IS*+, S(S.’,K*S,IS