在织构Ni表面沉积YSZ阻挡层地研究.pdfVIP

在织构Ni表面沉积YSZ阻挡层的研究+ 杨坚。宫声凯2舒勇华一刘慧舟t胡广勇t王晓华 北京有色金雇研究总院超导中一El,．北京1“]088 2北京航空航走人学北京】o。oB3 [摘要]用轧制及再结晶方法制备r高度正方织构的金羼蛳摹带。采用电于柬蒸发的方法盎几个 厘米K的Ni基带表面上生长YSZ(钇稳定二氧化锆)阻挡层。用X射线衙射分析表明．YSZ层具有纯c 轴取向和良好的平面内取向及立方织掏。扫描电镜观察表明．YSZ阻挡层为连续致密无裂纹的结晶状态． 一、引言 Y系超导材料的不可逆线高于Bi系材料，其在高温高场中仍能保持较高的电流密度， 冈此Y系涂层导体将具有巨大的应Hj前景。发展Y系涂层导体的关键问题之～是提高 YBCO层平面内的取向，而取向的单一性雨『一致性除了取决于生长方法及】：艺条件外．还 取抉丁．葶底和阻挡层的取向及YBCO与它J的匹配情况。在涂层导体研制过程中。随着 涂层导体研究的发展，人们的研究目标逐渐集中丁I探索适合长带生长的制备方法上。这种 方法一方面要考虑经济可行性，另一方面要考虑生长层的性能，包括结构性能和电性能。 在Y系涂层导体研究初期．多采用薄膜的制备方法如激光、磁控溅射等物理方法。在带 近单晶衬底上YBCO薄膜的水平。但是这些方法对于长带的产业化存在很大的局限性， (溶胶—凝胶)等化学的方法用于研制YBCO长带¨】。 本研究采用电子柬蒸发的方法在立方纵构金属镍表面上生长了YSZ(钇稳定二氧化 锆)阻挡层，这种方法沉积速率快，并易满足阻挡层取向生长的要求．其较PLD方法更 适合制各长舶涂层导体。 二、实验 将纯度大于99．99％的金属镍熔炼成锭，经锻造和总变形量人y-98％轧制得到所需轧 制织构。在800～1000C高温经l≈,J,Be再结晶处理，获得纯立方织构的镍基带。其平面 1 12—017 内如十1描、r宽高(FWHM)o。。J孕度为0 rm，经清洁处理t【lj做基底。 }闻家超导研究开发中心和国家重点基础研究专项资助项日 17I 阻挡层。在lo．3Pa真空背底下，以YSZ棒材作为蒸发源，电子束扫描加热800-一850C， 时间1-5分钟，膜厚度卜10um。 用x射线衍射方法对金属基底及生}(=的YsZ阻挡层进行c轴取向、平面内取向及立方 织构进行了测试，并用扫描电子显微镜(SEM)对阻挡层进行表面形貌观察。 三、结果讨论 在氧化物阻挡层形成的初始阶段，它与金属衬底之问的晶格取向存在外延关系，这种 关系的变化依赖于生长条件。电子束蒸发技术利用了这种关系，因此衬底织构状态至关重 要。高纯金属镍经熔炼、锻造和大于98％的总变形量的冷轧．在1000(2热处理l小时形成 。鞭 缈～一～ @／／ 立方 (a)N“111)极图 (b)Ni(111)2．5D报图 图1．经1000C、lh热处理Ni的再结晶织构 1 2 誊■c●萑 崔 幽2YSTJNi的e．2e扫描 圈3Ni基底沉积YSZ(111)的巾扫描 可见，再结晶织构表现为较纯的立方织构。 儒。一沁 口l{ 黟。／ 一’ |／ 巡～ ／／ (a)(111)极图 (b)2．5D极图 图4Ni基底沉积YSZ的织构 由于Ysz为立方结构，适合作阻挡层．且电子柬 蒸发的巾、去生长速率快，单位时间生长YSZ的单位面 积火，有利于产业化形成