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- 2017-08-15 发布于安徽
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第11届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集
ofthe National
llth ConferenceOilNuclear
Proceedings ElectronicsNuclearDetection
Technology
许仲德,高 松,姚 达,蔡 振,陈桂梅,袁 凯,张 丽
(东北微电子研究所,辽宁沈阳110032)
摘要:介绍了首次对CPU类超大规模集成电路(VLSI)所进行的EMP效应的敏感性摸捌试验,并
简单描述了电磁脉冲方波注入对80C86
CPU电路产生的干扰情况。
关键词:cPu;VLs欠EMP^
0引言 进行EMP方波注入试验,以初步确定其干扰
阈值和损伤闽值。试验装置及原理如图2所示。
从1945年7月16日,美国进行第一次原 RU ^£m
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子弹试验时起,电磁脉冲(EMP)对电子系统、 Qst吐LE} ^n!
电子器件等引起的干扰和损伤就引起人们的广 OS“l啊AI A“
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泛关注。多年以来,国内在电阻器、电容器、半导 轴V‘琏NI A£”
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体分立器件、中小规模集成电路(MSI/SSI)等 铀、月OI ^D7
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方面也做过大量的试验研究。我们首次对CPU 0 耳石-石轧HOLDI ^肿
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类超大规模集成电路(Vl。SI)进行了EMP效应 ^Dll
的敏感性模拟试验,本试验采用电磁脉冲方波 *,~ VT)I) ^D12
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注入法,主要是探索CPU类电路80C86对电
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磁脉冲的敏感端对,并初步了解外加电磁脉冲
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方波注入对80C86
CPU电路的干扰、损伤情 TEST^DI幅3
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