适于SAW器件“AlN%2f硅”“AlN%2f金刚石”多层膜制备及结构性能的研究.pdfVIP

摘要 近年来，移动通信迅猛发展，使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。 因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声表面波器件正是以高频的特点 得到了国内研究人员的关注。AIN作为压电材料可以实现声信号和电信号之问的转变。 另外，A1N薄膜的最大优势就是其声速是在所有无机非铁电性压电材料中最快。因而成 为高频表面波和体波的首选材料。 本文采用射频反应磁控溅射的方法在硅衬底上沉积A1N薄膜。主要研究了溅射压 强、衬底温度、溅射功率等参数对薄膜结构性能的影响，进一步优化了沉积高C取向的 进行检测和分析。研究结果表明： 但是溅射功率过大，容易使靶材表面溶蚀，呈焦黑状。 2 溅射压强过低，气体分子浓度过少会影响辉光放电，导致灭辉。溅射气压过 高，气体分子浓度过高，溅射粒子的迁移过程与气体分子发生过多的碰撞，这样既降低 了靶材原子的动能，又增加了靶材的散射损耗，同时溅射压强对薄膜择优取向也有很大 的影响。本文得到当压强为0．5Pa时，最适合 002 晶向的氮化铝生长。 3 温度过低反应原子活性低，衬底温度越高，则氮原子与铝原子的活化反应越 充分，而且扩散速度也越大，从而影响氮化铝的薄膜取向和结晶特性。当温度达]!JJ400*C 时，沉积的氮化铝薄膜的C取向更高，结晶性能好。 附近氮的碰撞几率，减小了氮能量的损失。有利于 002 晶面上的灿一N键的形成。 实验结果表明，氮气百分比为40％时，tklN薄膜的c轴取向最好。 面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配，失配度小的衬底Si 100 更能提 向的AlN薄膜。 关键词： 声表面波磁控溅射择优取向失配度 Abstract Inrecent ofmobile radio years，therapiddevelopment communication a bandintolimitedandvaluablenatural frequency a width requiregreater ofthewireless andtothe direction． spectrum high—frequency characteristicsofSAWdeviceshasbeentheconcern High-frequency ofresearchersinthe the materialthe ofaluminumnitride the country．Aspiezoelectric advantage filmis fastest ofsoundinall non—ferrouselectrical of materials． speed inorganic propertiespiezoelectric Aluminumnitridethus becomea SAWand waveinthematerialof high—frequencybody choice． Inthis thinfilmshavebeen onSi．The influenceof study,A1N deposited emphasized andother isinorder sputteringpressure,substrate power temperature，sputteringparameters tofurther the ofa c-orientedA1Nthinfilm．Thefilm’S optimizingdepositionparametershigh surface and havebeendetectedand diffraction morphology composition analyzedbyX-ray transforminfrared electron XRD ，Fourier spectroscopy FTIR ，scanning and mainresultsareshownbelow． X—rayscatteringspectroscopy EDS ．The filmsWere at 1 AIN fabricateddifferent andtheother sputteringpowers werethe withthe of of parameterssame．Alongincreasingsputteringpowers，theintensity XRD AIN becomes the istoo peak notablybetter．But，whensputteringpowerlarge，AItarget willbedissolvedand which pollute