新型SM-PDP二次电子发射的研究.pdfVIP

新型SM-PDP二次电子发射研究 蠢徐静声屠彦翳东南大学电子工程系金东飞显示中心瓣南京210096 摘要：PDP放电过程中粒子轰击放电单元结构内表面产生二次电子。描述这个过程的参数——二次电子发射系数7与 入射粒子能量，工作环境参数和固体表面性质等因素有关。理论上可采用流体模型与动力学模型相结合的方法获得较 接近实际情况的模拟结果。 关键词：二次电子发射系数MonteCarlo模拟荫罩式等离子体显示板(SM—PDP)． 引言 子和高速电子激发的二次电子数量一直是忽略不计的。 在SM-PDP放电单元中，气体发生电离后，带电的 MgO层表面的二次电子发射情况由于表面电势F的 各种粒子在电场作用下向各个方向运动，有很多会轰击 存在既不易实验测出，叉不便模拟计算．比普通金属表 内表面的绝缘层，因此在放电微小结构单元的内表面都 面复杂得多。经过简化抽象，现有的流体模型是：设固 体表面是一个完全吸收表面，即带电粒子轰击表面，留 涂覆有保护层MgO。同时，在气体击穿过程中MgO层 会因受到粒子轰击而产生二次电子发射，这发射过程称 下所带电荷，然后以基态返回放电空间。设流向放电单 为y过程。MgO的二次电子发射系数y关系到整个工作元结构固体表面的离子通量为，低速电子的通量为r|。中 性粒子的通量为r…： F，=aJⅣ，n，E+1／4n，Dt^， F2a。托n。E+t／4n。u。。手y，F一再y删，I乙蛐¨ F～=1／4n…u。～“ 知道了各种粒子流向固体的能量，就可得到固体表 面电荷的变化量，为流向固体表面的离子和电子的累加。 在流体模型中忽略了少数快速中性粒子和高能电子所激 发的二次电子，并将离子产生的二次电子系数作为常数。 过程的着火电压V Monte Carlo动力学模拟与流体力学结合的新计算 。。但+。]2 模型 上1nL丫： ／ 实际上r系数并不是一个常数。它的值和轰击粒子 D 的能量，材料表面逸出功，嚣值(此处F是放电空间电场 1●●●●●●●●●●●●j 强度，p是气体压力)，以及材料表面粗糙和洁净度有关。 如果能使这层保护层在耐粒子轰击的同时，能由此 因此单纯的流体模型是十分简化和抽象的；没有考虑粒 得到较低的着火电压，PDP的性能和成本都会有较大的 子入射和二次电子出射的随机性；也没有考虑固体表证 改善。因此研究MgO层的二次电子发射系数y的工作就 状况对二次电子出射的影响。如果上述模型中的y．不