微波集成滤波器的研究.pdfVIP

第6卷第3期 V01 3 功能材料与器件学报 6，Ⅳo OFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES 2000年9月 JOURNAL Sept．2000 文章编号：1007—4252(2000)03—0205—03 微波集成滤波器研究 张海涛，齐臣杰，刘理天 (清华大学擞电子研究所，北京100084) 摘要：用MEMS技术在硅基片上制作丁微波集成滤波器，并提出一种三维电容 该电容用MEMS的深槽刻蚀技术实现三维结构。该电容面积只有平面电容的 1／3。电感采用MEMS的背面腐蚀技术，去掉硅村底，减少了衬底损耗，解决硅 衬底电阻率不高的缺点。导体采用MEMS的准LIGA厚胶光刻和电铸工艺，使 金属膜的厚度大大增加，减少导体损耗，从而提高电感的Q值。 关键词：微波集成电路：滤波器；MEMS；三维电客 中圈分类号：TN454文献标识码：A 1引言 微波器件和电路的工作频率比较高，必须进行匹配才能很好的工作，由于器件和电路的 个体差异较大，所以匹配工作比较烦琐且无统一的规律可循。电路匹配困难，研制周期长，促 使人们研究集成微波电路。而集总元件的电容和电感难以集成，不得不采用外接的分立元件 或者采用混合集成的办法将其实现。尽管混合集成电路改善了许多，但同样存在体积大和词 试困难两个缺点。随着信息时代的发展，微波设备对微型化、低功耗及可携带性提出了更高 的要求，迫切要求采用单片微波集成电路(MMIC)制作电容和电感。MMIC通常用半绝缘材 料(GaAs)作绝缘衬底，但由于GaAs的成本较高，并且无源器件的面积占到了整个电路的绝 大部分，使得采用MMIC技术制作的微波电路的成本也比较高。为了克服MMIC技术的缺 点，人们开始对MEMS(Mieroelectromechanical systems)技术产生了兴趣“I。与传统的微电子 技术相比，MEMS具有自己的特点，采用深刻蚀技术，可以实现宏观上的三维结构，使无源器 件的小型化成为可能，版图面积将大幅度下降，集成度更高；MEMS的器件主要是以si作为 加工材料，这就使它相对传统的利用GaAs的MMIC技术制作电路的成本大幅度下降。此外， 由于硅材料电阻率低，作为基板损耗太大，MEMS工艺可吼先在硅片上生成一层绝缘层，然 后从背面腐蚀，去掉硅衬底，解决硅衬底电阻率不高的缺点。导体采用MEMS的准LIGA厚 胶光刻和电铸工艺，使金属膜的厚度大大增加，减少了导体损耗。由此，我们提出一种利用 MEMS技术制作的滤波器，它采用三维电容和高O值电感元件，有效地缩小了版图面积，提 高集成度和滤波器特性。 收稿Et期：2000—07—26；修订日期：2000—09—13 基金项目：国家“973”基金项目CGl999033105】 作者简介：张海涛(1976一)，男，硕士研究生 功能材料与器件学报 6卷 2设计与工艺 2．1滤波器 滤波器作为微波电路中重要元器件之一，不但具有选频特性，还可以对器件输入输出端 进行匹配。滤波器的制作工艺可以推广到其它元器件，如放大器等。滤波器指标要求：低通， 截止频率4GHz，输入输出阻抗50D。因巴特沃兹滤波器通常和阻带平坦，过渡带较陡，相位 线性好，故采用巴特沃兹滤波器。 果满足要求。 2．2电容 为了改变集成电路中无源器件占的面积比较大的现象，文献【3]中提出一种堆叠式的电 容，虽然它的面积下降很多，但是它采用多层工艺，技术难度较大。本文提出了一种三维电 容，其结构如图1所示。它采用ICP(Inductive plasma)刻蚀技术…，可以刻蚀出很深的 couple 窄槽，具有很高的深宽比，达3