微波等离子体CVD法合成纳米金刚石膜地研究.pdfVIP

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  • 2017-08-14 发布于安徽
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微波等离子体CVD法合成纳米金刚石膜地研究.pdf

微波等离子体CVD法合成纳米金刚石膜的研究 北京天地东方超硬材料股份有限公司 北京100018 清华大学机械工程系北京 韩毅松刘尔凯侯亚奇。玄真武侯立 韩毅松,男,1998年毕业于四川大学无机材料工程系元枫非金属材 料专业。毕业后在北京天地东方超硬材料股份有限公司从事CVD金剐 石膜产品的研究和开发工作。参与完成“863”计划“九五”重大关键项目 “CVD金刚石制备厦应用”,在“热丝法低功率生长研究”子课题中取得 了单克拉耗电量8千瓦小时的结果,达到国内领先水平。现正从事微波 法沉积蚋米金刚石膜和高质量空刚石膜的研究。 摘要:本实验以氢气避渐取代氢气作为主要的反应气体,使用微波等离子体化学气相沉积 法(MPCVD)成功合成出纳米金刚石膜。用拉曼光谱和原子力显微镜(AFM)对金刚石膜的 质量、晶粒度、袁面粗糙度进行了检测。 关键词:纳米金刚石 化学气相沉积表面粗糙度拉曼光谱 一、引言 与其它材料相比,金刚石具有很多优异性质:具有最高的硬度,最高的热导率。最高的 传声速度;高的耐磨性。低的磨擦系数;既是电的绝缘体,又是热的良导体,掺杂后可成为 卓越的P型或N型半导体,有宽的禁带宽度,有大的空穴迁移率和最宽的透过波段(o.225 微米至远红外),等等。 通常cvD法(氢气的比例大于95%)合成的金刚石膜是微米级的柱状多晶。这种结 构给其后续加工和进一步实用化带来很大难度。例如,生长面的极端粗糙和高硬度、高耐 磨性使得膜片平整和抛光极为困难;金刚石膜韧性较差,做成刀具很难胜任冲击较大的加 工条件;微米级金刚石膜电阻率极高(电阻率109—1016),无法用电加工的方法进行抛光 和切割;膜片组成粒度较大,难以将其做成形状精度要求很高的微小部件。 当金刚石膜由纳米级颗粒组成时,它除了具有普通微米级金刚石膜的性质之外,还会 表现出一些新的优异性能:高光洁度,高韧性,较低的电阻率,低场发射电压等等,具有广 阔应用前景,如微型机电领域(姬Ms,micro—electil】一n∞ehaniealsystems),平板显示器…, 声表面波器件(SAW),旋转轴密封件【“,电化学电极【2J,等等。本文报道采用微波等离子 体CVD方法在单晶硅衬底上沉积纳米金刚石的初步研究结果。 二、实验方法 ·120· 实验装置为天地公司与成都电子科技大学共同研制的5kW不锈钢腔体天线偶合式 微波等离子体CVD设备。根据沉积工艺的特殊要求对微波设备的腔体结构进行了必要 的改造。纳米金刚石的具体生长工艺参数如表一: Table1 Some for diamond parameters nanocrystallinegrowth Item, Parameters Microwave 900 power(W) Total 80—100 presStLre(Tort) Totalflow 100 gas rate(seem) Percenta黟0fA“%) 91,95,97 R∞∞姆Dfth(%) 8,4,2 0fCH,(%) l Peteemage Slhtme 血l出删Silio∞Ⅷffers(111) with diamond

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