AES的研究Cr%2fSi-%2c3-N-%2c4-%2fSi体系界面扩散反应的物种.pdfVIP

分析化学的成就与挑战 AES研究Cr／Si，N,／si体系界面扩散反应的物种 朱永法王莉姚文清曹立礼 (清华大学化学系北京100084) 关键词界面扩散反应crsi，N4俄歇电子能谱 si旭是一种性能优异的材料，被广泛地应用于集成电路和刀具材料。但无论是集成电路中 的布线．还是切削工具中与胎体的固定．sigN,的应用都离不开与金属的结台。而表面金属化技 术不仅可以增加物理结合力，还可以增强化学结合力，是解决这一问题的有效方法。因而．界亟 化学状态和产物的研究是关键，本文着重于利用俄歇电子能谱研究Cr／S[3NJSi体系界面产物分 布和化学状态。 nnl．说明由于磁控溅射法镀膜使得 AES分析表明原始样品的Cr／Si扎的界面层宽度约为45 靶原子具有3eV～4 eV的动能，从而引起溅射混合作用而使得镀膜时在界面处发生物质问的相 互作用。俄歇线形分析则表明此时仍无界面化学反应发生．因而样品的界面扩散是简单的溅射混 合作用。在不同温度条件下对样品进行真空热退火处理lh，以促进界面扩散反应的发生。结果 表明．热处理温度低于500℃时，无论是界面扩散还是界面反应都不明显；而温度高于500℃ 时，界面扩散和反应也只有部分进行。图1所示为经过700℃真空熟处理1h样品的俄歇深度 剖析图，可见界面层宽度略有增加，表明界面扩散的进程缓慢。 图2为该样品不同深度处cr元素的典型蛾歇线形谱。由图2可见，在金属膜层内(aevthA)． cr以单质状态存在，具有481．9eV和486．9 B)中 eV两个俄歇峰。在靠近cr的界面层(depth eV和486A 其峰位移向能量较低处，分别为481．0 eV，结合深度剖析的结果．可知此时的饿歇 峰为单质态和化合态的迭加峰。而在靠近si抖。的—川0．线形则表现为另外一种情况．俄歇峰的 位置进—步移向低能量处．表明单质在两种状态中的比例降低，而到了D层，此时处于ShN。层 中的Cr则完全以氮化物的形式存在，由于含量很低，无法辨认低能量处的峰位，但高能量处的 峰明显移到了485．3 eV的位置。这种能量的变化是因为当cr与N化台后，Cr原子的电子密度 降低，核对电子的束缚加强．使得出射的俄歇电子动能降低I】I。此外．从N砌上的俄歇线形谱 也可见，在A层中的含量很低，且由深度剖析结果知金属膜层中不可能存在N，故认为此时的 线形是由分析室内残留的氮气引起的。从B层到D层，样品的蛾歇峰依次移向低能量处，D层为Si3N4 层．B和c与D的线形不—致，证明了氮化物的存在。从s1L、Ⅳ的线形分析还可女I：1，89．0eV为单质 si的俄歇动能，82．2 LW线彤研究表明在A层即金属膜层中无si存在． eV为sick,的俄歇动8留。Si eV和82．2ev的两个峰，表明 这与深度剖析的结果完全吻合；在B层，si的线形可解叠为能量为89．0 其存在形式为单质或含氮影R低的氮化物和s州。两种；其中高能量处的峰应该是由还原产物生成， 因此该线形证明了界面还原反应的发生，同时说明产物不是CrSi，物种。C层和D层，界面产物 eV 的相对比例降低，Si—叱的峰进一步增强，但由于所用si潮。层中有单质si存在，故D层89．0 的峰没有明显减弱。 由三种元素的俄歇线形分析可知，界面处有少量CrN，生成。以上结果说明界面扩散反应是 膜层闻进行相对扩散的主要动力。尽管所采用的基片在si，M膜层中有相当含量的无定型si存在， 且金属膜层和si3y,膜层结构存在很多缺陷．但由于cr和si的反应活性较差，故除了分子间的 388 ——