SiC-%2cW-%2fHPRBSN陶瓷复合材料地研究.pdfVIP

SiC㈨／HPRBSN陶瓷复合材料的研究／张伟儒等 ·229· SiCt，，／HPRBSN陶瓷复合材料的研究 张伟儒顾培芷’ 徐刚 刘 清 (山东工业陶瓷研究设计院．藩博255031；t中国无机非叠属材料实业公司．北京100831) ■要 采用湿法工艺、起声厦禹迪搅拌均化技术，使sic晶须在硅粉基料中均匀分蠹．t{鲁的音10v01％sic晶 -謦加削对硅扮压实体氮化行为的影响暇厦sicm／HPR酷N胸{t薹台材料的机械挂晚进行了讨论． 关键词 sic．sic．／HPRBSN陶瓷复合封料机械性能 的相组成+用sEM对试样新裂表面进行观察 0 前言 2结果与讨论 氪化硅基材料是当前主要的高温结构材料之一．具有优 异的机械力学性能，耐磨性及热稳定性。然而由于它的臆性． 2．1量须的分散混合技术 在应力作用下易发生灾难性的断裂．困此限制了这些材料在 试验表明．采用乙酸乙醇做分教荆．用超声分敞和高度搅 工程中的应用．近年来。备国材料工作者对晶须和纤维增强、 拌技术可使SiC晶须充分地均匀分散．得刘的SiC晶铆料浆 增韧的冉瓷基复台材科进行了大量的研究．制备工艺主要集 有很好的稳定性．虽然用水或橱精也可以讯好地分数．SiC晶 中于热压烧结肯法． 颈，但得到的料浆的稳定性不够椭意。 考虑刊烧结氰化硅的生坯具有良好的可机械加工性能． 2．2 t化物添加剂和SiC晶须对硅粉压实体氮化的 从而有可能崩备复杂形状的部件．有较好的实用化前景，故本 影响 研究之一是以硅粉为初始原料．探索开发SiC晶须，鼠N．复 表1和表2列出本研究中使用的烧结添加州MA和ZrOz 台材辩的可嚣性．也就是说将晶须，硅粉压实体进行氟化，然 吉量咀及SiC晶须对硅粉压实体氟化行为的影响。氧化物添 后通过热压或者气氛压力烧蜡或者热等静压进行烧结制备复 加剂古量越多，硅粉氟化速率越快．在相同的氰化制度下．肛 合材料．本研究采用氟化一热压烧结手段进行试样制备． sl，N．含量将提高． 1实验 衰1 t化物添加剂对硅粉压实体氯化的髟响 日／口+Bw％ MA+ZrOz含量w％ SI-Si，N．转化率 1．1昌须／粉末混合物的制备 0 8 93 本研究所用硅粉的平均粒径为舡，BET比表面积为 6 45 萼3 2．5mZ／g．SiC晶须直径06～l／，rnt长径比为zo～40，结晶形 10 49 0l 态为B．使用平均粒径为0．5脚的MA尖晶石和氧化话为烧 16 56 91 结助剂。 将硅粉与烧结助剂在乙醇介质中球磨8h，配置成硅基料 从表2数据可见．SIC晶须的加入．似乎在蘖种程度上抑 浆．将SiC晶须置于己酸乙酯介质中．采用超声分散和高速搅 制了SbN．转化。 拌技术来翻备SiC晶须科浆．将上述两种料浆进行混合，在高 衰2 SiC晶须对硅粉压实体氯化的髟饷 速搅拌机内进行搅拌，然后使料浆干燥、过精、制备戚含