GaAs反应离子刻蚀纵横比地研究.pdfVIP

2∞O年10月·广西-北海 第七届全国固体薄膜学术会议 GaAs反应离子刻蚀纵横比的研究 刘文楷朱家廉高俊华陆建组林世鸣 中国科学院半导体研究所 100083 一引言 湿法刻蚀由于受到分辨率的限制很难控制十微米以下的微细图形的制作，另外，湿法 刻蚀通常存在各向同性问题．有钻蚀效应，刻蚀后边缘较粗糙。干法刻蚀以其可控性好、 精确度高、较好的表面形貌、宜批量生产等特点受到普遍重视。 干法瓤独主要利用气体辉光放电产生原子游离基、原子、离子等多种化学成份和被腐 蚀物质表面发生作用，是一复杂的物理、化学过程。干法刻蚀主要包括：物理溅射或离子刻 蚀、等离子体刻蚀、反应离子刻蚀、离子柬刻蚀。 不同的器件结构对器件工艺的要求不同而纵横比总是首先考虑的关键因素之一，纵横 比指的是在刻蚀过程中形成一定坡度的侧墙，侧墙的垂直高度和横向尺寸的比值。有些器件 要求高的纵横比．例如在单片微波集成电路通路空要求垂直的侧墙．垂直腔面发射激光器 也要求陡直的柱型结构以提高器件的性能，而其他有些器件要求一定的正台结构以便以后 的加工工艺能顺利进行。因此刻蚀的纵横比是器件工艺的灵敏函数，也是器件制作的关键 要求之一。 本研究工作采用BCI，和Ar气体对GaAs刻蚀的纵横比进行了研究，主要研究了工艺参 数的影响范围与条件，探讨了于刻蚀的纵横比。 实验结果表明在一定条件下对GaAs刻蚀的纵横比可以大于10．同时我{fix可以控制 反应条件使刻蚀截面呈正台型从而满足各种不同工艺的要求。 二实验结果及分析 Technology公司生产的RIE一80平行板电极中系统进行，真空 实验是在英国Plasma X 系统由罗茨泵和机械泵组成，反应室本底真空为1 i0～Torr，采用BCI，和Ar作为腐蚀气 体，气体流量由质量流量计控制，采用S1400—37正胶作为掩模。样品用台阶仪和SEM对刻 蚀截面和表面进行观察和测量，刻蚀前我们用稀硫酸对GaAs表面进行处理。cl基化学成 份对光刻胶的腐蚀作用可以忽略，但光刻胶表面不可避免地受到离子轰击作用。 影响反应离子刻蚀的因素很多我们主要从以下几个方面进行摸索。 c1)气体组分对纵横比的影响 (2)气体总流量对纵横比的影响 (3)射频功率对纵横比的影响 (4)压强对纵横比的影响 以下各图是我们试验的结果。 2000年lO月·广西·北海 第七届全国周体薄膜学术会议 ^ ．。 f ．．．t 。