氮化镓材料的MBE生长的研究.pdfVIP

氮化镓材料的MBE生长研究 王军喜孙殿照王晓亮刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英 中国科学院半导体研究所材料中心北京100083 1．引言 IN、GaN、 ⅡI族氮化物材料属于近年来研究最热的半导体材料．具有宽的直接带隙(A 宽可以近线性地从1．95eV变到6．28eV，覆盖了整个可见光到紫外光波段。这对于光电器件 的应用是十分重要的。目前在短波长光电器件领域如蓝紫光LED及探测器方面，GaN基器 件已经实现商品化，具有广阔的应用前景。GaN基材料的另一个特点是优良的热稳定性及 化学稳定性、高击穿电压、高的热导率及高的电子饱和漂移速度，这使得GaN基材料在制 备高温，大功率，高速及恶劣环境条件下工作的微电子器件方面具有巨大的潜力和优越性 1—4 目前GaN材料的外延生长主要使用分子束外延(MBE)和金属有机物气相外延 (MOVPE)两种方法．而分子束外延的发展相对滞后，材料质量也较差，用MOVPE技术 品使用了磁控溅射的AIN作缓冲层。用全GSMBE技术外延的GaN室温电子迁移率只有个 别达350cm2／V．s，较好的在200cm2／V．s左右，95年水平仅为110cm2／V．s左右。 我们以NH，作为氮源，用改造的国产Ⅳ型MBE设备，在(0001)A1203衬底上获得了 高质量的GaN单晶外延材料，其室温电子迁移率为300cm2／V．s，背景电子浓度(BEC)为 3xl 0ncmP(外延层厚度为1．2um)，材料质量跻身于国际同类方法生长GaN的质量最好之 列。 2．实验 试验用的GaN材料是我们在改造的国产设备上采用气源分子束外延技术(GSMBE) der Pauw法 镓源。GaN单晶外延膜的结晶质量用双晶X射线衍射回摆曲线来表征，用Van 测量外延层的霍尔迁移率及背景载流子浓度等电学性质，采用原子力显微镜来表征外延材 料表面性质，所有样品均为未有意掺杂。 使用c面蓝宝石作衬底，先用有机溶剂对衬底进行超声清洗去油(依次为三氯乙烯、 丙酮、无水乙醇)，然后在160℃的H]POd：H2S04=1：3的混合液中腐蚀以去除表面损伤，再 经去离子水冲洗、甩干处理后装在钼托上，进入进样室，经过除气后再进人生长室进行生 长。生长前用压条挡住部分衬底表面以使生长后形成GaN台阶。用台阶仪即可测出台阶的 高度，从而得到GaN外延膜的厚度及生长速率。在不同生长条件下，生长速率可在每小时 0．3微米到1微米之间变化，外延膜的厚度在0．4～31．tm范围。 在GaN晶体生长过程中，高温镓炉喷射出的镓分子束和NHj同时喷射到高温的生长面 上，通过反应生成GaN晶体。生长时，在衬底温度为750。C左右对衬底表面氮化约20min， 然后降温到500-600。C低温生长约IOOA厚的AiN缓冲层，然后再升温生长GaN外延层。 整个生长过程中使用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监测。 3．结论与讨论 der 用VanPauw法对GaN外延片进行的电学测量表明，未有意掺杂的GaN膜为n型 53 01 室温下裁流于浓度为3×1JCllq。，霍尔迁移率为300cm2／V．s。这些结果好于目前许多国际 同类技术取得的结果。 用(0002)对称双晶x射线衍射回摆曲线来表征GaN外延层的结晶学性质，由图I 6％ arcmin．．这表明我们在与GaN失配度高达I 可知，GaN(0002)的半高宽(FWHMgV．为6 的蓝宝石衬底上获得了_具有优良结晶质量的GaN外延片，优于其它用同类方法在蓝宝石村 底LGaN的外延结果。 用光致发光谱测量外延层的光学性质．激发光源为He．Cd激光器，激发波长为32