巨磁电阻磁头研究与商品化生产的现状与未来.pdfVIP

l999车 第十届全国磁学和磁性材料会议论文集 501 巨磁电阻磁头研究和商品化生产的现状与未来 胡杜军“，曾德K3，王沽“，顾【r飞“，钟喜春“，魏必钊a刘lF义“，丁瑞钦e cI JII510641 1f粥埋r』=学J b广东#j|]五邑犬学江门市529020 巨磁电脚(GMR)效应的发现使，岛亩艘磁记录介质的蝌究与应川过^一个崭新的阶段。目前，罔际 l墒品化牛产的GMR磁头的仔储商密皮为5Gbs／in。，实验室选到的密度为40Gbs／in。，预汁近年内将达 到IOOGbs／in!，】I‘忙设计的趟-岛密度为1000Gbs／in。 水之i=仑述了国际上GMR磁头研究和商品化生产的 现状与未束发展。 的竞争热潮。现在L知t在多层膜，非连续多层膜，颗粒膜，自旋阀结构，隧道结结构，某螳金属氧 化物中都可以存在GMR效应。学术界关¨：GMR产生的原因和变化规律，技术界制各各种具有GMR 效应的新材利，丁业界利用GMR效府开发新产I札如高密度磁记录介质，磁膜传感器，纳秒开关器 件等。其中最‘j1人注目的是利用GMR效应制造计算机凄磁头，现已取得J，巨大进展。 始生产埂磁盘和磁头。1990年IBM公司将感应式的写入薄膜蹴三L与坡莫合会磁电阻式读…磁头组合 公司率先在磁盘驱动器中使用磁电阻(MR)磁头。按照美固IBM公司定义，其商a＆化磁头牛产的发 5 年，J99】年利】997。J997年，’磁头的密度大丁2 迄今IBM公丌J已住信息存储领域取得324 了11 3个专利。IBM公司先后伍美国的SAN 牙利的VESZPREM 05+1．6+0 GMR磁头。目前，IBM公一日生产的微型磁头的尺寸为2 43mm，超微裂碰头的尺寸为1．25 +1．0+0 3mm。IBM公司的GMR磁头为I7i旋脚纠lf自：NiFeGMRFreeFilm Pinned Cu CoGMR Spacer Film。黎套磁三L的生产_r艺非常复杂，从晶片切割剑晟终磁头产品，需要77个r序，其主要上序为： 镀膜一GMR磁头一磁头平衡环组件一磁头堆栈维什一装配进入硬盘等。住整个生产过程中，要对磁头 甲面度，气三气支撑面加1：， E行高度． E{]：速度，径向偏离瘦等进行精确的测试和控制。其中，硬盘 和磁头之蚓的飞行高度仅为25nm。由j二采用特殊的卒气史撑面设汁，降低了硬枯和磁头之闻的飞行高 的MR和GMR磁头发展进程见表1示。 表1 IBM公i_商tWz化MR和GMR磁头发展进科 时间(年) 19911992199319941995199619971998200020022004 愚 弛 一 一 一 一呦 卫¨ 圳薹；Ⅲ ¨㈣” 周家自然科学基金资助坝目 联系人胡≠J军，广东E,Ik火学机械系，。母i季j矬工丈，笋在职博t生 』竺l一————一一一． 盒垡笙圭釜 !：：：±． Research Consortium 年资助34所大学和21家公司联合实施Storge 标是实现GMR磁头面密度20Gbs／in2。鉴于信息技术在当今社会中的重要性日益增加，日本政府投未 50亿曰圆，从1996—2001资助SRC成员单位实施Association (ASET)计划。ASET目标是实现GMR磁头面密宦40