空间矢量控制大容量IGBTPWM变频调速装置研究.pdfVIP

空间矢量控制的大容量IGBI PWM变频调速装置研究 西安电力电子技术研究所 朱典旭 张锦生 赵雅莉 张长安 (西安710061) 摘要：本文介绍了采用16位单片机80C196MC实现的电压空间矢量控制技术完成 的大容量IGBTP删变频调速装置。分析了具有软关断特性的驱动技术、无电阻损耗的 IGBT 吸收技术等高可靠性、多功能的实用电路的工作原理．完成的lOOkVAPV04变频 调速装置已投入工业运行，运行结果表明该装置具有良好的品质和推广应用价值。 关键词：IGBT PV／M变频调速电压空间矢量软关断驱动 I．引言 由于绝缘栅双极晶体管(IGBT)把MOS技术引入功率半导体器件，带来了应用上的一 系列优点，如开关速度快、饱和导通压降低、驱动功率小等．随着电力电子技术的发 应用领域正取代以前使用的取极型晶体管模块，同时IGBT将工作在20kHz硬开关以及 频率更高的软开关应用中。本文详细地介绍了适用于大容量IGBTP删变频调速装置， 具有完善的软关断特性保护功能的驱动技术、无电阻损耗的吸收技术、保护技术以及16 IGBT 位单片机80C196HC实现的电压空间矢量控制技术，最后给出了研制成功的lOOkVA P删变频调速装置 P删变频调速装置的试验波形．试验结果表明：完成的大容量IGBT 的性能指标优良、运行稳定、可靠． 2．IGBT模块的栅极驱动 IGBT作为一种功率开关器件，在工程应用中器件的电气特性和可靠性壹接受栅级 驱动电路的影响。如器件对关断偏置的要求、栅极电荷的要求、可靠性要求以及电源 的要求等。因此设计和选用性能优良的栅级驱动电路是大容量IGBTP删变频调速装置 能否安全、稳定、可靠运行的关键所在． 2．IIGBT栅级驱动电压及驱动电流 动技术进行开通；但IGBT的输入电容较MOSFET的大，故IGBT的关断偏压应该比许多 gOSFET驱动电路提供的偏压更强． 为了使IGBT完全饱和导通．并使通态损耗减至最小，同时也限制短路电流和它所 带来的功率应力，通常使用15V_10％的正栅极电压。在任何情况下，开通时的栅极驱 动电压，不应超出iZV至20V的范围。 当栅极电压为零时，IGBT处于断态。但是，为了保证IGBT在集电极一发射极电压 上出现dv／dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个关断偏压。采用反向偏压还 减少了关断损耗。一般情况下，反向偏压应在-5V至一iSV范围之内． 考虑到变频调速系统中实际线路对器件驱动特性的影响．本文介绍的驱动电路中， lOV。 取+V6E=+15V．一Vca 虽然IGBT属于压控器件，栅极驱动功率较小。但IGBT开通时．驱动电路必须提供 足够的峰值电流，电源提供的最小峰值电流IcPK为： 一120— In，t：土△V口l／RD 1瞻·c-ff 式中：△Vq2V口Ec。-+I Ro：膏板串联电阻 2．2l卸T■般串联电阻 IGBT的开通和美断是通过■极电蓐的充放电来实现的一因此，■摄串联电阻值的太小将 对IGBT的动态特性产生撮大的影响。敦值较小的串联电阻使曩掇电容的充放电较快，从而减 小开关时问和开关损耗。翻1分羽示出IGB7模块翻造厂商提供的栅极电阻与开羌损耗、开关 时问的典型关系。当IGBT关断期问，麓加于I暖盯及其集电极一■摄电容上的dv,dt可导致有电 拖漉过■极电路，如果此电漉足够大，疆极串联电阻较大，此时在鲁搬电阻向椿产生导致 IGBT误导通的●极电压；而较小的■扳电阻可进免dv／dt带来的误导通，但所jB承受的蕾极 噪声较小，容易导致■撮一发射极电容同暑撮疆动导线的寄生电薯产生摄荡·此外，较小的 餐极电阻还将使I陆t开通时的di]dt变大。从而导致较高的dwdt．增加了舶恢复时的