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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 快堆中子辐射损伤数值计算 邹德慧邱东 (中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川 绵阳621900) 摘要本文针对早期快堆中子辐射损伤研究工作中存在的不足和该堆的现状，采用平均位移 法对其辐射损伤进行了理论再研究．结果表明：基于平均位移法计算得到的快堆全能谱位移损伤对 能谱结构的依赖性显著地小于平均能量法对能谱结构的依赖性；在堆表面典型位置，本次研究比早 期研究结果降低约6～15％。 关键词快堆辐射损伤群位移kerma因子 在抗辐射加固相关工作中，半导体材料的中子辐射损伤一直是广为关注的焦点，然而由于受多 种客观因素的限制，不同研究项目或不同研究单位往往会选择不同辐射源以进行辐射模拟研究，为 分析、评价或对比这些研究成果，有必要建立不同辐射源间的辐射损伤等效关系。快堆是国内开展 中子辐射效应研究的主要试验平台之一，其搬迁到新的实验室之后泄漏中子能谱发生了一定变化， 而半导体材料的辐射效应与中子能量及其位移损伤函数密切相关，因此，有必要开展快堆中子在指 定材料中的辐射损伤研究，以提供与其它辐射源建立等效关系的理论依据，从而更好地满足新形势 下我国抗辐射加固试验的要求【1’2捌。 1研究方法 1．1 全能谱位移损伤计算方法陋·^习 要建立快堆与其它辐射源之间的等效关系，首先需要知道快堆的全能谱位移损伤。全能谱位移 损伤是描述具有连续能谱分布的中子辐射源辐照半导体材料所产生损伤的参量，对于给定材料每一 种能量的中子都对应有一个位移k黜(比释动能)因子KD，对于快堆而言，其在硅材料中的全能 谱位移损伤D定义为【4】： D=f≯(E)％，口(E)dE (1) 式中，妒(E)是入射中子的能量注量分布，通常采用归一谱，如，口(E)是能量为E的单位注量 中子在硅材料中产生的位移损伤，单位为MeV·mb。 1．2泄漏中子能谱计算方法 由于开展等效性研究的辐照实验样品通常布放在堆表面，在泄漏中子能谱计算中分别选取堆表 面两处典型位置作为参考，然后采用蒙特卡罗方法的MCNP程序进行模拟。程序首先建立尽量遵从 于快堆真实结构的模型，具体来说即是计算模型的工作状态要与真实的实验状态二致，由于实验工 作测量的能谱是在快堆稳态运行时进行的，即l【c产l，建立计算模型时也要使得其K庐1，此时需 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 349 要通过调节模拟部件的位置、棒的插入深度、材料密度等物理参数使得计算模型满足临界要求。然 后是对源中子进行抽样计算，模型中源中子由堆体稳态时的本征分布抽样得到，将采用MCNP程序 的KCODE输入卡输入相应信息进行临界计算。为便于计算结果和实验结果的比较，模型中探测器 的位置及对泄漏中子能群的划分与实验状态相同，并通过F5计数卡来得到探测器位置处的泄漏中 子分能段计数，最后此统计结果作进一步归一化处理。 1．3群位移kerma因子取值方法[6】 在传统硅位移kerma因子数据库的取值方法中，采用了平均能量的概念，即假设中子在某一能 群内均匀分布，则任一能群，的位移kerma因子可以通过能群的平均能量查找损伤函数表获得。具 体分三种情况：①如果损伤函数表中存在该能量数据，则可直接获取对应位移kerma因子；②如果 损伤函数表中无该能量数据，但其值介于两个相邻能区的交汇处，则取这两个能区位移kerma因子 的平均值；③如果损伤函数表中无该能量数据，但其值与其中某一能量同属于一个能区，则引用该 能区的位移kerma因子作为对应的群位移kerma因子。 在上述方法的应用中，均将任一能群内中子的能量用 其平均能量代替，故将这种群位移kerma因子的取值 耋 邑 方法称为平均能量取值法(简称平均能量法)。图l H’ 鼍 给出了硅位移kerma因子随中子能量(O．01MeV以上) 謇 变化的关烈2一，如图所示，在o．I一8Me