保偏光纤应力元成分分布的电子探针分析.pdfVIP

保偏光纤应力元成分分布的电子探针分析 奎差盛12刘礼华2李祥鹏1萧天鹏2赵连城 (1．哈尔滨工业大学材料科学与工程学院，哈尔滨 150001 2．江苏法尔胜集团公司博士后工作站， 江阴214433) 保偏光纤又称高双折射光纤。使光纤产生高双折射的办法有多种，但是国际上目前比 较流行的都是应力致偏型的方法。线偏振光在保偏光纤的某一个轴上传播时，会保持其偏 振态。抗干扰能力强是保偏光纤的重要特点。根据应力元形状的不同，保偏光纤常见的有 熊猫型、领结型和椭圆茄克型。江苏法尔胜光子公司引进利用先进的生产线，自主研发生 产了“一”字型保偏光纤。我们从材料学角度研究这种保偏光纤材料的微观结构和组分， 优化保偏光纤工艺、探索新型处理方法，为高质量的保偏光纤的研制提供材料科学依据。 为低成本、高性能和高生产率的保偏光纤的产业化应用创造条件，更为新一代高分辨率、 宽动态范围、高稳定性的光纤陀螺(FOG)的研制莫定基础，打破国外在这种产品上对我 国实行的技术封锁．因此．开发具有自主知识产权的高性能保偏光纤并形成规模生产是目 前我国急待解决的问题。努力研制出高质量的保偏光纤对我国光纤传感技术的发展具有重 要意义。 利崩电子探针波谱仪(WDS)对保偏光纤和普通单模光纤的横截面进行了成分分析， 得到了径向掺杂元素的分布以及应力区和芯区的实际几何形状。用扫描电镜能谱仪(EDS) 对光纤截面作能谱分析，得到了光纤中杂质元素的种类及含量。 试验材料为5种保偏光纤，保偏光纤样品由江苏法尔胜光子有限公司在MCVD法(改 良化学气相沉积法)方法的基础上，再加一种特殊的有效的应力区形成工艺，来最终完成 保偏光纤的制作。MCVD法是由美国朗讯公司开创的、公认最适合特种光纤预制棒生产的 工艺方法．它采用管内气相沉积，沉积层数多，每层的折射率及其它光学与机械性能容易 控制，预制棒芯层性能稳定，折射率分布接近理想状态；操作简单，易于掌握，是应j_}j最 为广泛的一种．表l为保偏光纤制各过程中芯层和应力层沉积时通入SiCI。和GeCI。的载气 流量比。 39 表l 芯层和应力层沉积时通入SiCl4和GeCl4的载气流量比 芯层沉积时 应力层沉积时 编号 SiCh和GeCIa的载气流量比SiCl4和BBr3的载气流量比 1 1：l l：4 2 5：12 1：4 3 1：3 1：4 4 14：13 1：4 5 1：l 2：9 (a) (b) 图1 I号样晶的背散射电子像和Ge元素线扫描 图2 2号样品的背散射电子像和Ge元素线扫描 从幽l(a)、2(a)背散射电子像中可以看到，二者均为顺时针扭转了的近k方形。 从圈1(b)、2(b)可以看出．中间亮斑处的Ge浓度高．故亮斑处应该是Ge掺杂区。 亮斑的形状是倾斜45度的类“中”字形。根据背散射电子像的原子序数衬度原理，亮的 部分是原子序数大的元素，暗的部分为原子序数小的元素。由于保偏光纤样品中主要含有 硅、锗、硼等元素。黑色部分可以推断出为B掺杂区，也就是应力区，只不过图2扭曲 的程度比图l更大一些。而图2的B掺杂区长且窄．图1的则短且宽一些。可以判定， 这两个样品的制备工艺相似。本文采用电子探针和扫描电镜对光纤截面做成分分析及能谱 分析，研究了几种不同工艺的保偏光纤的截面应力区结构的形状及掺杂浓度。电子探针实 验分析表明：MCVD和VOD混合法制备的保偏光纤截面应力掺杂区成分分布比较明显。 从电子探针得到的背散射像可以看出，中心白色区域为光纤的Ge掺杂的芯部，两侧黑色 区域为B掺杂的应力区。扫描电镜能谱分析得到光纤截面能谱图，从而得到光纤内的杂 质种类，这也