新颖非常规半导体系列研究.pdfVIP

新颖的非常规半导体系列研究+ 陈玲昊新涛··高完成吴立明林平杜文新 (中国科学院福建物质结构研究所．结构化学国家重点实验室，福卅1．350002) 非常规半导体是一类有串结构的无帆化台物或无机-有机掺杂化台物．它们具有独特的 屯磁学性能、光学性能及催化性能，因此越来越多的化学家．物理学家和固体学家们将注 意力投向这一领域Iu。 1．合成 本论文合成了8个W／AWS无机高聚链新化合物，分别属于6种结构类型．其中5 种是新构型。这就为多元异金属半导体家族增加了系列新的成员，扩展了非常规半导体 包含的范囝。研究表明WS．。，Ag+的自组装反应除了受阳离子的价态，大小的影响外12】， 还受到以下三个因素的影响：配位阳离子的大小(配位溶剂的大小)；介质的影响；复台阳 离子的聚集方式。 “％Ag：S‘l’[Zn(4，4’-bipyb(DMF)2(DMSO)2】)。 (【w，Ag,S12】【La(DMAC)5(H20)3‘(DMAC)‘1}I {【uA‰sIJ。[Ca(DEAC)6】}- {【W．A勘s16k’[La(DEF)_(DMFM【La(DEF)．(DMF)‘l}． f【w6A‰是·】’【L矗(DMsOk】2)。 {fw—g—Sz4】[Nd(DMSO)d2l。 {[WIAgloS32】[La(DEF)。】2}t {【w，Agl。sd。INd(DEF)小)。 2．结构分析 对化台物ItS进行了单晶结构分析【”。图．1给出了它们的结构图。 3．W／Ag／S一维无限链体系的电学性质研究 (1)．电导率的测试本论文仅对化合物l～5，7，8进行了粉末的电导率测试。实验 结果表明它们的电导率值在半导体电导率值范围内H】，井呈现了随着温度的升高而增大 的规律。 (2)．能带计算采用紧束缚扩展休克尔(EHT)能带理论计算方法睁11用NNEW3程 序对W／Ag／S无限链化合物1～8进行了能带计算和研究，得出它们的能隙值(EI)在 3．70．3．96(eV)之间，属于半导体能隙值范围内。能带组成成分分析表明：价带顶主要是 Ag：S的成键轨道组成．而导带底是w．S的反键轨道组成。因此在光激发或电场作用F， 电子可以发生从Ag到w再到Ag的电子传递作用：同时№-S，№·S在两条带中所占的 成分较大，而p．．s的成分铰小，因此桥．s原子对于该粪化台物的电子传递也起了重要作 用，而‰．s(端-s)对于电子的传导的贡献不大。 ·： 奉顺目由国家自拣科学摹台资助 ··：逋讯联系^ ．3． 参考文献 … GC Solid St．Chem．1997，25，125．270 Papavassiliou，Pmg f2】 0un and Wang,TianluJiaxi Wu，Quanming Sheng Lo，Angew．Chem．Int．Ed Huan—g，Xintao Eng] 1996，35，8．868-869 【3I Version5Refcrence Siemens(i994)，SHELXTLTM Manual，Siemens lnc Energy＆Automntion Madison，Wisconsin，USA Charles Slate Kit／el，Solid and 【4】