中子辐照直拉硅中氧扩散研究.pdfVIP

中子辐照直拉硅中氧的扩散研究去 李养贤牛萍娟+*刘彩池 (河北工业大学半导体材料研究所，天津300130) 摘要 本文对中子辐照直拉硅(NTDCZSi)住1150。C J且火氧的外扩散分布用热转换扩展法 (TCSR)进行了测量，通过对氧外扩散曲线的拟合得出：与末辐照硅相比，在1150退火 出现了显著地减慢。这些现象被解释为硅中氧以空位为主的扩散机制进行扩散。 关键词：中子辐照，直拉硅，氧外扩散，扩散机制 一、引 言 众所周知，氧是直拉硅中的主要杂质(比其它杂质的总和还高1～2个数量级)。在 硅的热退火和器件的工艺热过程中，过饱和的氧将发生沉淀并诱生缺陷。而硅中氧的许多 效应都与氧的扩散有关．从80年代以来，掀起～殴研究氧在硅中的扩散机制的热潮，而 氧在硅中的扩散机制一直没有得到真正的解决，关‘r扩散系数的测量也没有取得一致，结 果相差很大，特别NTDCZSi中的氧的扩散研究还未见有报导，亟待进行研究，以利于解 决NTDCZSi中出现的许多现在还不能完全解释的现象，指导其在器件工艺过程中所遇到 的种种问题。 二、实验结果与讨论 所用实验样品为P型CZ硅单晶，111晶向，直径为0507mm，电阻率为4～60， 辐照后，切成约5001am厚的 硅片，研磨(单面)，抛光至 镜面。 图(一)是未经辐照的洋f 0 品经热处理(950℃4h+450 ℃50h Ar2)后，载流子浓蓑 度的纵向分布。经过化学减薄生 法由表及里逐层用冷热探针 辅 法测量导电类型，发现硅单晶 由表面到体内，出现了由P型 到N型的转变，这和图(一) 纵向深度(“m) 中所示情况相同。 图(一) +河北省自然科学基金资助项目 ++天津大学电信学院微电子技术系 一3l Amurgai”1等人用扩展电阻法测量P型硅单晶热处理前后电阻率变化的方法，计算饱和热施 主量，并用红外傅里叶光谱仪测定了它们的氧含量，找出了对应关系，得到如下经验关系 式： fO】=2．2×10”[AN，J】0”71／cm3(2-I) 通过式(2—1)，可将图(一)转换为氧含量的纵向分布， Mikkelsenl2I认为扩散系数与温度的一般关系为 D=O．13 exp(一2．53／朋1) (2-2) 氧浓度的纵向分布服从误差函数分布，即F式： 将中照样品进行1 a为载流子浓度的纵向分布，b为氧浓度的纵向分布，c为由Mikkelen得出的同样热处理 条件对的氧浓度的纵向分布。 o E 0 蜊 避 m 蜒 糕 氧 氧 浓 浓 度 度 ，、 一 暑 』 目 了 纵向深度(1arn) 纵向深度(cm) 1 (b)