锗硅碳三元合金中碳对应变缓解作用探究.pdfVIP

锗硅碳三元合金中碳对应变缓解作用研究★ 黄靖云亓震章国强马德群卢焕明汪雷赵炳辉叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027) 【摘要】SiGeC三元合金近年来成为人们研究的热点之’。处于替代位置的碳可以缓解 SiGe合金的应变，同时调肖其能带。本文介绍了用UHV／CVD生长的掺碳达2．2％的锗硅 碳台金，获得，良好的外延层质量，应变缓解敏应明显。 一、前言 SiGe合金具有载流子迁移率高、能带可阑、禁带宽度可容易地通过改变Ge的含量加 以精确调节等许多独特的物理性质，而且具有重要的应用价值，有“第二代硅微电子材料” 之称…。但是．SiGe薄膜的应变和薄膜的组成会显著影响材料的能带结构、禁带宽度和能 带补偿“J【…，且厚度不能超过平衡临界厚度，从而使其应用大大受到限制。在此情形下， 辟锗碳三元合金引起了人们的关注．这主要由于处于替代位置的碳的作用主要有三方面： (1)由于碳晶格常数比硅锗的晶格常数小得多，所以碳的加入会缓解锗硅因为晶格常数不同 而造成的压应变”Jl”：(2)增加临界层厚度l(”，从而有利于外延层的生长及器件的制作；(3) 掺入的碳还具备有调节锗硅合金能带结构的作用pjl”。 许多方法被用来成功地生长出了碚锗碳三元合金。Eberl口‘等人使用分子束外延 (RTCVD)也生长出了锗硅碳_三元合金。 实际上，Kelires【l”早从理论上推断出碳的分布依赖于‘碳的浓度．而后者又决定于合金 的生长工艺，不同的生长温度及锗的含量都会对碳的分布产生影响。H．J．Osten[41等人曾估 计，锗硅中碳的浓度不宣超过2％，否则将会影响结晶层的形成。本文将对以硅为衬底掺 碳超过2％的锗硅碳j元合金进行研究。 二：、实验设备及过程 本实验外延生睦使用的没备是UHWCVD系统，该系统由生眭室、进样室和气路三部 分组成，详细资料见文献【12】。其中，加热系统经过改进后，衬底硅片温度场的均匀性得 到了提高。 为了获得洁净的衬底表面，我们采用了RCA清洗方法，衬底片放入进样室之前，再 用10％HF酸对衬底漂洗，以除去表面的氧化层，并得到富氢表面。生长温度为760。C，生 长结束后不进行热处理，生长时间为40分钟。根据以往的实验经验确定sj凰：GeH4流量 片。Si、Ge、c的源气体分别为高纯SiH4、Getf4和C2H4。 本实验所使用的透射电子显微镜的型号为JEM-2010，其参数为，加速电压：200kV： +奉课题由国家自然科学基金驶重大课题(NN，国家教育部跨世纪人才计划资助。 200 傅立叶红外吸收光谱(FTIR)仪为IFS一113v，分辨率为4cm，测量温度300K。X射线 衍射仪为菲利浦公司的Pc／APD型。 三、实验结果及分析 为了计算样品组分，根据文献【I3】，假定维格德定律对硅锗碳三元系统适用，则对于 SiI-xyGexc。三元合金系统，其品格常数表达式为： ds。G。C=(1-x—y)dsi+x屯。+ydc(1) 而应变可由式r=(ds。G。c—ds．)／ds。算得，将(1)式代入左式，可得 f2 (其中。f为外延层的应变值，d％。c为锗硅碳三元合金晶格常数，ds，、dG。、dc分别为硅、 锗、碳的品格常数)。 表l样晶生长条件及相关数据 样品编号 流量(s(、L～4)生长温度 品面间距【t}} 细分 SiI『4：Gell4：(，I【4 (℃) (¨¨1) 、iI一、～、Oc．t、 !￡ !!：i!! Z§Q Q：!j!型§ §k3z鱼!o西3 型 !Q!!!! !业 Q：!≥笪!§ §b12鱼纽2监￡Q．Q2 ≥! i!：j：!： Z§Q !：!j!；型 甑z】出啦姐坠瞄 表1为样品的淀积条件及结果。在表中，同时也列出了在相近条件下生长的Si—Ge。 外延层的数据作为参考。锗的浓度是通过测量XRD图谱中不掺碳时Sil。Gex的峰位对于 硅衬底(400)峰位的相对移动计算出来的。三样品中锗浓度皆为26．3％。