微米级三维形貌测量研究和其在微电子器件翘曲变形测量中的应用.pdfVIP

≥ § 墅 现代力学测试技术 ￡-一 } 微米级三维形貌测量研究及其 在微电子器件翘曲变形测量中的应用 何小元 (东南大学．南京2100lB) Daq加gZou(邹大庆)，andShengLiu(刘胜) pI岫lofM∞hnlc“Eng；ne“g SukU正啪ityt W‘pc D咖it·Mi“g柚482。2，UsA Yi￡m Guo(郭一凡) Molo一-s“c蚰duchPfod啦“Scceor T锄w，^Z852S4USA 摘要：将高密度规则光栅投射手物体表面，利用栅线的扭曲变化可以测量物体表面的翘曲 变形．为了提高这一方法的测量灵敏度，本文采用亚象素检测技术确定船线的畸变量，并通过提 高图象采集质量、降低图象噪声来获得高信噪比的数字图象，从而达到了提高亚象索分辨能力的 目的．该技术用于微电子器件翘曲变形测量，在50咖×50mm的测量区域内可以获得微米级测量 精度． 关键词：栅线投影法．Ⅱ聋鬃检测，微电子封装，翘曲变形． 一、引 言 随着工业和微电子技术的发展，集成屯路不仅被广泛应用于计算机、通讯、汽车、工 业控制等方面，而且也被普遍应用于人们的日常生活用品(如：移动电话、摄像机、电视机、 洗衣机甚至玩具等)，这就要求集成电路进一步朝着小型化方向发展。碱小体积、减轻重量 和降低器件成本是应用领域对微电子器件提出的普遍要求，这就迫使人们去不断研究新的 Gfid 微电子封装技术。例如：MulcichipModuIe(McM多芯片组件)、Flip．CIlip、BaU Array(BGA)、和cllipscalePackage(CsP)等都是目前采用的最新的微电子封装技术。然而， 由于集成度提高、体积减小引起散热不畅而导致微电子电路局部区域温度升高，这一现象 成了影响微电子器件可靠性韵一个主要因素。热变形的影响主要表现在两个方面，一是工 作状态下的微电子器件，由于自身发热和散热不畅导致过大的温度梯度而产生很大的温度 应力，长期运行会使结构发生疲劳破坏并导致电路不能正常工作：另一方面是由于微电子 结构材料物理性质的差异，即使在均匀温度下也可能产生很大的热应力和翘曲变形，导致 集成块与印刷电路板之间不能完全接触而影响正常的组装过程。采用实验方法和计算机模 拟技术能有效地测量和分析材料与结构的受热变形。光学方法是用于检测微电子器件热变 形的有效手段，云纹干涉技术很好地解决了微电子器件确定截面上的二维位移场的测最问 ·449· 二、栅线投影法 l橱线投影法测量原理 如图l所示，用栅线投射器将一纽规则栅线投影到待测物体表面，船CCD摄像机在 另一方向观察和采集图象。假设栅线方向平行于Y轴，当栅线投射于基准面上时在屏幕上 仍可看到一组规则的平行橱线。若将～翘益表面放赶于基准面之上，在廓幕上可看到平行 栅线也将发生相应的畸变(见圈6)。栅线的畸变迁7，Ax与翘曲裘面离堆准面的高度z之间 具有如下关系： Z=△Xtg巾 其中，巾是投影方向与x轴的夹角。CcD摄像机的轴线与基准面垂直，根据每一点的栅 线畸变量△x(x扔利用上式可以计算出该点的高度z(xJ)。 2栅线投影测量系统 ooum。 子器件翘曲表现的测量而研制的，其涮量面积为50mm×50mm，测量范围为5 采用长寿命高强皮石英卤素光源作为栅线投影的照明光源．为了使光源发热不影响光纤