单晶硅上电结晶制铜钴纳米多层膜地研究.pdfVIP

1P-028 单晶硅上电结晶制铜钻纳米多层膜的研究 石新红， 曹为民 印仁和 (上海大学理学院化学系上海 200444) 由磁性层和非磁性层组成的金属纳米多层膜具有优良的磁性和物性，如巨磁阻效应 O〔MR)和易 磁性方向的改变【n等，其性能的研究有望应用于磁敏感设备以及提高磁记录密度等.Co/Cu多层膜因 为它有相对较小的饱和磁场和相对较大的 M‘R效应，有望在当代迅速发展的磁记录磁头材料中得以 应用.本文采用双电解枪法在单晶Si(111)上获得了Co/Cu多层膜，研究了电沉积铜和钻的成核机理， 在室谧下测定了Co/Cu多层膜的磁性能，讨论了M‘R值与多层膜周期数的变化关系. 1.实验 实验采用三电极体系，用电化学工作站CH166OA(上海辰华仪器公司)联机测定.采用美国产的物 性测f系统(PPMS-9〕在室9下洲定多层膜的磁滞Ie线和电FA随外磁场的变化。MI时电流的方向沿 样品的平面，与外磁场方向垂直. 2.结果与讨论 .o.av 哎 叮 -D,7V 丛 哎 的 一 臼 弓.3V ，_ZV 心 司 .V ，牛‘V 坛 护 勃 2 心石V U Q ) ︸ 勺 口 .叮口V 七 1 匕 己 n o tls 灯5 (a)cu (b)co 图1Si(111)电极在基本铜俊液 (。)和墓本钻筱液 b〔)的中的不同超电势下的恒电位阶越曲线 Pig1ThepotentisostaticalstepscurvesofSi(111)electrodeinthefundamentalcopper solution (a)andinthefundamental.cobaltsolutionatdifferentoverpotentials 图1分别是Si电极CuS04和CoS04在不同趋电势下的恒电势阶跃曲线，其特点是在极化初期电 流迅速上升。然后逐渐下降并趋于德定出现电流极大值，这是由于晶核生长扩散场向四周生长使得表 面增大并相互重登所致.所形成的电流峰对应于晶核的形成，当晶核生长搜盖整个的电极表面时，电 流的衰减遵循Cottrell方程，阶越电位越大，电流极大值Im越大，达到电流极大值的时问tm就越短; 反之，则Im越小，t二越大 对金属电沉积初期行为研究可得到有关电结晶二维或三维成核动力学，由于半导体与金属问的 界面能相对比较弱，因而金属沉积遵从三维岛状生长机理.按电结晶三维成核过程的瞬时成核或连 续成核机理，其无因次函数即护/I.一t八。关系式分别为: I/1矿=1.9542(t/tm)一，[I-exp(-1.2564(t/tm)))2. 瞬时成核 (1) I/Im=1.2254(t/tm)-1[1-exp-(2.3367(t/tm))’ 一连续成核 (2) 根据无因次I/I.-t/t。关系曲线、对应图1中的I一t曲线实验结果数据处理如图所示二 。联系人:石新红24岁硕士研究生 从事于多层膜性能的研究 国家自然科学墓金 和上海市教委青年墓金(02AQ83)资助项目 IP-028 .叫.~~目，J. ‘.. ‘‘~ ‘‘~~，~，一 ~ ，一 一 一 一 一 - 一 - ~ 一 卜一 - 一 ~ 一 一