二、三公分微带隔离器地研究.pdfVIP

二三公分徽带啊膏嚣的研究 二、三公分微带隔离器的研究 王林、汪晓光 嗣营第八九八厂南京 210028 摘要：探讨了高频段小型微带器件的理论分折，以准集中方法进行微带器件的设计和电路参数的 关键词：徽带．蕊离器，准集中参数。 1． 引言： 由于在二、三公分以上的频段，微带器件的试制和测试都非常困难。尤其是小型化器件更具有一 定的难度．为此我们作了一些研究。 2．理论分析： 按照lksma的假设，铁氧体中，磁场强度没有轴向z分量，其磁场强度的径向分量和切向分量与 Ez(p，毒)有关，其值可从麦克斯韦方程中求得： H，(口，巾)=[j((寻Ez／a巾)／p+j(aEz，ap)}(x／tt)】，(∞ouou。p P)／-j H．(p，由)=CJ(eEz，ax(aEz，a由)／(up)】／(吣。肛op时f) 其中x和u为张量磁导率的对角张量与非对角分量。设铁氧体中的磁场半径为r，则将p换成r。 当作用在铁氧体上的恒磁场Ho增加时，各向异性t／p也随之增加，输入铁氧体内的电磁波就分 裂成右旋模和左旋模，随着x／u的增大，模的分裂增大。考虑在基模工作的情况，由零阶贝塞尔函数 和二阶贝塞尔函数可确定位于铁氧体片中外加磁场的直径： D=2R=2Xi。／k． n／x k。矿(2 0)(e．ffum)t／2 式中x。是贝塞尔函数Jr(x)的根，对于基模x。。t1．84，这个值在实际设计环行器时要作修正。 在去磁状态下，磁导率张量的非对角元K=0，磁导率等于其对角元．即： ph=H：【l+2(卜∞1“]／3 在部分磁化状态下，磁导率张量的对角和非对角元分别为： ．·124· ——————————————————■●焉■啊■————————一—— R也) p=JIo(1一la-)(4Ⅱ∥4 弘一r4Ⅱ舰，f H 这里4 M为部分磁化铁氧体的磁化强度，而部分磁化状态下的磁导率为： 2一x2)／7]) 2一*2)巾]／f1一(h／w)1“(x／u)2ln[1*la／(p u。=[(u 最后只要将ud．和u。替代下面公式中u‘的就可以分别得到去磁和部分磁化状态下锨带的有效磁导 备￡《EHFiol；f；i?ni；i．，inFi 率： ． u．：[2u‘／(1+p)]【(A—B)／A】2 (w／h一2) u．=u’[c／(c—D)]2 《w／h／2) 其中A=ln(3h／w)+i／h)2／32 B：(1／2)[(卜p’)／(1+p’)][In(Ⅱ／2)+I．t’In(4／Ⅱ)] c=w／(2h)+{ln[2“e(w／(2h)-电94)])／Ⅱ D=[(卜p’)／(2Ⅱ)J{ln【(Ⅱe／2)(∥(2h)+O．94)卜“’ln(eⅡ2／16)} 式中e为自然对数的底。 实际上，微带线所传输的模与TEM模十分相似，故假设它为TEM模或准T蹦模。微带线的特性阻 抗为双介质特性阻抗．取介质徽带呈“场集中”效应，它的辐射损耗小。双介质微带线其介电常数由 基片介质的介电常数￡，和徽带线外的空气介电常数c。’组成，并且微带线的导带比较薄，厚度～般在 5一1011m之间，可以近似看作零，即厚度6=O。因此，双介质特性阻抗为： Z口=Zo’／E。1止 《O) 式中乙’为单一介质空气填充的微带线阻抗，e．为有效介电常数，当空气介电常数￡0’：1时，有效 介电常数为：