CMOS—SEED灵巧象素中CMOS集成电路探究.pdfVIP

CM@8--SEED灵巧象素中CMOS集成电路研究 曾庆明李献杰 专用集成电路国家级重点实验室，电子工业部第十三研究所，石家庄市．050051 一．引言：随着信息产业的飞速发展，光互连及光交换技术成为当今信息时代光电予技术 发展的重点之一，丽SEED(自电光效应器件)灵巧象素阵列是目前光互连与光交换最看好 的一种基础光电器件。从1990年开始自由空间光交换网络研究以来，已相继推出了三代实 电学器件CMOS大规模集成电路通过倒装焊和光学器件SEED连接起来，构成灵巧象素。我 们与中科院半导体所合作开展此项研究，我们分工CMOS和倒装焊的研究。关于器件的要 求．首先是针对天津大学光互连课胚提出的。 二电路设计： 这里研究的C∞S—S旺D器件的工作简单如图】所示，SEED探测器将光信 号变为电流信号，这里输入的光电流信号幅度4～10uA，速率大于lOOMbfs；通过倒装 焊焊点送入与之相连的CMOS电路，CMOS电路将信号放大、和地址信号进行逻辑处理后、 由驱动电路输出调制电信号，又通过倒装焊传递调制SEED调制器的电信号，输出光信号。 CMOS电路包括三部分：前置放大器、逻辑门电路和驱动电路。 地址z 州必 —— 图1 一组CMOS电路逻辑图 -跨阻放大器将探测器输入的电流信号变成龟压信号，再通过缓冲级将其放大到逻辑电 路电平，分出一路作监测用；其他几路分别和各路地址信号输入CMOS与门电路进行处理， 最后通过驱动电路，将信号加到调制器上。CMOS电路的工作难点主要在跨阻放大器，加 之由于系统组装方面的困难，要求CMOS排列在6ram长的线阵上。较大的芯片尺寸和一 定数量的芯片要求，使我们难以利用国外MOSIS标准加工线去加工，而国内厂家没有提供 比较完善的对外开放的单元库，或规范的模型参数，也没有作过跨阻放大器这样的模拟电 路。华晶中央研究所提供了一个lureCMOS加工线供参考的模型参数，我们用这模型参数 作设计，设计中尽量充分考虑到模型参数可能的偏差。由于跨阻放大器的设计尚不成熟， 对阂值电压等模型参数的要求比较苛刻，考虑到工艺可能的分散及模型的准确性，同时设 295 计了几种形式的反馈电路，其中电阻反镄形式对MOS器件的闽值电压不大敏感，加外偏 V的 置的MOS反馈形式调节范围宽。在驱动电路方面，增加了一个可调电源，并可以将5 v信号。图2给出一路毛阻反馈形式CMOS的电路圈，图3给出跨阻放 信号转换成5～10 人器部分的模拟的结果，i(il)为输入信号，v(6)为输出信号，v(3)为跨阻级后的电压，图4 给出与门加驱动电路的模拟的结果，v(2)和v(3)为输入信号·V(7)为输出信号。 图：．CMOS电路图 x 一 ：0、 霸……且 w 汀n玎- 登1…——～j。IL rL—可≯ 一 了，一 口 · 。v(了) ：二V 5 0V…一一一一一。’。。+。～+’一‘’‘。‘。一一’。+ r一…。』．1一J—L一 i jV 0 0V十………………………一 o - ·v(5) j0V十一一1………—‘+…………一 n—n．j1』‘1L』 一