MnBiAl薄膜磁光与磁性能的研究.pdfVIP

!：：：± 至±生全璺壁兰坌壁生茎茎全垡笙圭叁 i!i MnBiAl薄膜磁光和磁性能的研究 朱涛t_il金真敖玲 中央民族大学物理系北京100081 王荫君 中罔科学院物删tOI宄所和凝聚态物J里中心越学田家重点实验空北京100080 用l乜了柬簋发制薪J7 0,4x；0 MnB[x菏N,31比 MnBixAI(115薄膜，、j 7时，MnBixAlol5薄膜的Kerr饷lI 柯¨旨增大，】Ⅲx0 7时，MnBixAl015的Kerrm…【匕MnBix的蜚小。633nm波K测量时，MnBi05A10l 5的 Kerr伯达到最大值，为2．75。， lI】相对随的MnBi05薄膜只柏156。MnBi05A10l5薄啦的空温饱和融感麻强 7时，AI cmu／cm3，比MnBi0 emu／cm3)蚤小。我们押删I)4≤x兰Onr能部分占据 虚MS为300 5薄Ⅱ蛙的MS(400 BI Bi，一位和部分取代Mn位。由J1品收缩使甜Mn3d也r’06n也r的杂化K4-．增人，导敛其Kerr效』甘增强。 1 引言 MnBi薄膜的优良磁光性能甲在五、^十年代就被人HJ所关注，并尝试鹏于磁光i0录。近年米， 千荫君[1]等发现Al掺杂的MnBi合金膜不仅增强了样品的稳定性，而且克尔角也哿到提高。本文撇 0)两个系列的薄膜的磁光特性，不同 igT月l真空电子柬蒸发制需的MnBixAl0MnBix(x=o．4·1 15年【I 于通常采JHSiO，作为保护层【1，2]，本文采用r 的掺杂，便于重点考察A1掺j}对MnBi溥膜磁光Kerr效麻的影响。 2实验过程 4 电子束蒸发系统的率底真空为2×10Pa，样品磁性层的总厚度l制定为80nm，AI保护层的厚 度为2 2x10’4 Pa的条什下退火3-5小时，以获得NiAs裂结构的、c轴垂直膜面的MnBi(A1)薄膜。 3 实验结果与讨论 于MnBi的c轴K度。如图l所示，(a)为MnBixAl01 变化的曲线(633nm He．Ne激光波长r测得)，(b)为用Si02作为保护层的MnBixAl0 1 5和MnBix薄膜 1 MnBi薄膜相比有显著增大，当x0．7时，MnBi×A10 1 s的Kerr角达到最大值，为2．750。 x=0．5时，MnBixAl0 ；今零P” ；爆 ＼ 图1 Kerr角随BjJ戍份比的变化『}f|线阿2Kerr舶【9fiBi成份比的变化曲线：实线为500nm 波K下测褂的Kerr角．虚线为633nm渡KF测得的 Kerr伯 544 会议论