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GaN生长中的锌离子体光谱研究 顾彪徐茵肇莹秦福文 大连理工大学电磁工程系11609-3 氮化镓(GaN)系材料是用于短波光电器件和高功率电子器件的宽直接带凉半导体材料．具 有广阔的应用前景．近年来在材料生长和器件应用上取得了突破性进展．超高亮度发光二极管 (LED)三商品化．有巨大的应用需求和广阔市场的抽抖基蓝光激光二极管(LD)．目前在唇际上 己成为光电子领域的一个研究热点，6aN基LD低功率运行寿命达到七千小时【I】。上述成果都是 在采用M0c咖技术子蓝宝石村底上高温()i000℃)生长的六方GaN系材辩基础上获得的．但其 生长温度高(1000℃)，高温生长会引起一些弊端．高温生长引起的氮空位造成高背景电子昧 度，而且只能生长六方GaN。六方晶的不可解理性使LD谐振腔面的制作工艺复杂，难以产业化． 生长在III—V族半导体GaAs衬底上可解理的立方GsN系材科，无疑是制备短波LD更理想的材 科。从掺杂及发光品质看，对于蓝～绿光LD，立方GaN材料有其突出的潜在的优势． 立方GaN～般是在低温(B00C)下生长的．低温生长的关键是解决活性氮源。一些低的 裂解温度的氮源如联氮往往有毒．我们在国内首次提出并采用了EcR—PAMOCVD可控活化低温抖 延技术，以腔耦舍型EcR源提供高括化氯源，生长出了纯立方GaN单晶膜nj。 本文通过发射光谱对GaN生长中的ECR微波等离子体化学活性，各有关活性粒子以及它们与 气压、功率等运行参数之间的相关性进行了研究，为选择GaN生长的工艺参数提供依据。授射光 谱非浸润性使其成为一个理想实时监测手段。通过发射光谱对作为加工工具的ECR等离子体特 性，特剐是对PKMOCVD往生_f毛GaN的等离子体化学活性进行研究的报导尚不多见。～些作者‰衽 分子束外延生长GaN膜畜．通过发射光谱研究其等离子体源中活性氮的产生． 2．实验 如所述．本实验室采用EcR—P删。cVD低握外延技术．在一个具有腔耦台一磁多极型ECR等 离子体源的半导体加工装置上¨。进行GaN薄膜生长研究．我们用氮EcR等离子体提供高活化氮 源：以三甲荽镓(州Gj为镓(Ga)源．其生长中首先对已作过化学清洗的GaAs衬底在几百度恒 温下原位地瑚氢(H：等离子体清洗掉表面氧化物。继而，用氮等离子体氮化：接着在低温下 生长缓冲层：然后升温至约600一700℃恒温生长GaN膜，在关断TMG后，样品降温并维持氮放 电敷分钟作后处理，并降箍至室温． 如所述．GaN膜靓各的整个过程都是在ECR等离子体氛围中，利用等离子体活化作用在较低 温度下安现的．实验中我们采用了以GDS50—2光栅双单色仪分光．用石英光纤作光传输，以光 电倍增管作光电转换与放大，以486 PC机为主体构成的自动光栅扫描及数据采集与处理的光谱 实时监测系统t分别对氢等离子体，氮等离子体及其掺少量氢等的发射光谱进行了测量，并研‘， 究了它们与工艺参数盯相关性，其结果示于1一j。 3．实验结果与讨论 3．1氧等离子体发射光谱 所采瑚的热处理往往田挂高温下砷(As)的挥芨造成衬底损伤。本实验室在较低温度下用氢锌 离子体消洗GaAs村底。氢自由墼(H)对砝际氧化物起了决定性作用．反应过程如F所示： 4H+南，氓一jH，0t+面，0t (】) 2xH+As 20，-÷zH (2) 20t+m2售山4)t 图l为_噻型的氢(H：，放电清洗条件下等离子体发射光谱．如目所示，在4000--8000A光 谱范围内．有=条较强的氢原予(Ho)谱线，分别为4340^、4851A、6562 A．说明在这种放 ～124～ 电条件下，也ECR放电等离子体中古有大量的氢原子(H0)。测试结果表明．活性氢对衬底表面 的处理不仅能祛陈氧化层．而且对得到一个“好界面”外延生长至关重要．