采用PZT薄膜射频滤波器研究.pdfVIP

采用PZT薄膜的射频滤波器研究 刘燕翔任天令刘理天 (清华人学微电子研究所，北京，10084) 摘要：微机械加JJ技术是提高射频通信前端器件性能、缩小其体积的有效方法。文中 介绍了应用MEMS(微电子机械系统)技术的体声波射频滤波器的原理、结构，分析了 PzT的材料特性，优化了硅基薄膜的制备、退火、刻蚀等集成工艺，并在此基础上设计了 以该材料为核心的射频滤波器，模拟了该器件的性能。 关键词：射频滤波器；谐振器；徽电子机械系统；锆钛酸铅 1引言 当前，随着卫星、蜂窝电话等无线通信技术的迅速发展，以往的主流通信频段日益拥 挤，人们越来越关注更高频率的通信应用。射频(800MHz～4GHz)通信相对较低频段通 信有着带宽更大、数据传输更快的优势。在GHz通信系统中，前置滤波器是系统提高信噪 比、减少功耗的关键环节。最近美国麻省理工学院微系统实验室研制了以A1N压电薄膜实 现电、卢耦合的体声波(SAW)滤波器…，其插损低、带宽大、面积小的优良性能代表了未 来射频滤波器的发展趋势。 PZT材料有着优良的压电、铁电特性，具备突出的力、电耦台能力。近年来，随着 PZT薄膜制备技术的发展，A．1『f J越来越意识到新型功能材料是对目前以硅系统材料为基础 的微电子器件的有力支持和补充。PZT薄膜在厚度方向具有高机电耦合能力(PZT的 Kt50％，而目前t流的压电薄膜材料AIN的K。电5％)，这一优越的材料特性赋予r它在 MEMS等微电子器件领域中巨人的潜力。 2体声波滤波器的原理及结构 体声波谐振器的结构如图1所示。它采川了电极．压电薄膜．电极的夹心结构。输入电信 号由压电薄膜的逆压电效应转化为卢信号：当声波在上F两个界面内谐振时，阻抗表现为 最大(并联谐振)或最小值(串联谐振)：最后由薄膜的压电效应将声信号转化为电信号 输出。如果将多个谐振器进行合适的互联，就可以得到多种形式的滤波器。采用MEMS微 加工上艺，我们可咀进行衬底腐蚀，使卢波在空气间反射，从而减少声能在衬底中的损 耗，提高谐振器的品质。 衬 图I体声波谐振器结构示意图 本论文受国家973和清。芦大学985课题资助 众所周知，要提高体声波滤波器的性能，就必须提高压电薄膜的机电耦合效率，减小 机械损耗及漏电。与此对应，压电薄膜有两个参数是研究中关注的焦点，即机电耦台系数 K。和品质因数Q。其中K．反映了机电转换的效率．并决定了滤波器的带宽：O值越夫表示 压电薄膜损耗越小，同时也表明滤波器有较快的带外衰减。 另外．压电薄膜在GHz频率下的动态电容也值得关注，C。过太(即￡过大)将难以保 证阻带的隔离度。 3 PZT的材料特征及制备、加工技术 加物不同以及制备【．艺不同都会影响它的压电、介电性能。室温。r，zr／Ti配比为53／47 左右，晶体处于准同型相界．此时机电耦合系数、介电常数表现为最大值(K750％， 值有所上升。 薄膜形态的PZT与块状陶瓷有较_人不同，其特性参数与薄膜的择优取向有很大关系。 低￡值吼 底结构。其中Pt为电极．它还能阻挡高温F Si与PZT的层间扩散(Pb易丁二与Si发生反 应，严重损害压电薄膜的品质)。Ti作为粘附层增加Pt与Si02／Si衬底的附着力。PbTiO， 在Pt上生眭有很好的(001)取向，能与PZT晶格相匹配，通常被用作PzT晶化的种子 层。 在硅基上形成PZT薄膜，简单易行的方法是Sol-Gel法，它具有成本低、能精确控制 组分、均匀性好、易掺杂等特点。此外还可采用射频磁控溅射、MOCVD、激光沉积、分 子束外延等。不论哪种方法，操作时都会在原料中加入过量的Pb。这是因为PbO的熔点 低，饱和蒸汽压高，对PZT进行热处理时容易产生铅挥发，加入过量的Pb能够补偿Pb 损，保持理想的组分配比。 退火工艺往往对PZT薄膜的制各有着重要影响。工艺研究证明快速退火(RTA)【”更适 用于面向MEMS的PzT薄膜制备。它较常规退火(CFA)有如下特点：(a)晶化温度 低： (b)退火时间短；(c)Pb挥发少；(d)减少了薄膜与村底的反应{(e)抑制晶粒