ECR+PECVD制备用于平面光波导的SiO-%2c2-薄膜和掺Ge-SiO-%2c2-%2fSi类薄膜的研究.pdfVIP

ECR PEBVD制备用于平面光波导的Si0。薄膜 及掺Ge～8iOe／Si类薄膜的研究 张劲松任兆杏梁荣庆隋毅峰刘卫 i中罔科学院等离子体物理研究所合肥230031) 摘要采用储渡电于旧旌共振等离子体增唱化堂气相：冗积技术在单晶硅对底上制貉用十。，砬光渡导的SiO、 薄膜一竹究r沉积垣毫与工艺参劈之|E的差岳笋蹦射翱偏置对成麒特性的影响仆了：0步共验研冗。通j三 x射蛙光rEl髓话t、Ps，、辞立叶娈凄芝卅光}；7FTIRj、扫描宅捷‘SEM』、垣卡力显散镜(AFM』、 i』盟STM?{t{薪袖蛳倔仪等测量王跨 仁听j’}芏品的薄膜结构和光学特性等结果昱，】、狂轻低温度下 丘婶：”均匀蠡。 峙镌化定的SiO：薄嗔。U：々I．还成功刮备出掺G￡的SiO．薄膜升可以猜确拧制掺杂 雀笠 k适kH、■七淀导。匕的要求。 关键词 乞}。叫旋#东 簿臻 平血，匕菠导 1 引言 血光遭1li领域．发展具有鬲效传输和丑馒网络的光纤系统十分必要，然而．至鼻为止 光纤表统帕霞展仍血麒一、上人川扩，、量离逦信，窘．的需求其中晶根才=的睁习就是制作高晶 质平面光扳导及嚣件过程甲存在，蔓／：…《．剖于鬲效光；f系统的、{盘光踱#暮承兵百掘 恹明穹回}i J仁输拭{毛啊【，丘童接Ei一置于盘故导漕膜的折射系数a-1．壹面稆犍度’!一系，《性 能压而搽量 ；u畿剃各a囱醍盯土号{”生和绍；句特|芏五二回7t渡导膜的有效玎，主馁成为^ 键。SiO、是当月u光；f技术严业中最重要的基础材科之一，掺Ge的SiO，薄膜、具有更高的 {i耐妻和更帆的传墒损}￡．I羁而近矗一米越裘越成为人们关注的焦白。 丰：餐s，O，待强 要他其满足平面是：，￡害的高品质要求．用传统的热氧化生长基足难咀 笺现∞，为一二 凡¨，f：断毁力r扦nj制备可；土曲岍宄。＆近年采发腥的等禹f体加J-披求 出 如微法笔离于体淄，、射婀等离子仁源、hehcon源等，微波电子回旃}共拄等离子怀增强 化学气桤江#：ECRPEC＼nDj技术是一I中控制薄膜成份和镀艟内应力的较为灵’舌、育效的 连任，V-_其璃i-jfj气庠低(几个mTorrj．等离子体密度高(10“～10‘一cml)，电离里鲁r～10％J， 反矗拉f焉叶善葛f能量低．乏幂能)?手损伤曼无内呸极放电 段石’々≯：鹾助约争 ，破少苒离：_==ji毫笔零的栩鱼f_簧．薄蹲杂质岔量少等1午多其E1主二元：壬州：0芝忱点 闻而五有。置一j】iⅢ备均勺、致事、兄滑、纯净日々忘品质功能吐薄警p声久，再万㈠=。 日：文报，兰丁／上我{¨所髓fji殳1}研刮封微；；页ECP,；H{CVD装蕾上i苎fSiO．薄膜及拓 Ge．SiO、7Si弩t瓠iR，剖鲁I7中．j‘7I芝参势轧薄腌特|三￡间的关乏连1i7弘*． 2 装置和实验 犯∽泛 ，㈨i式二15Gttz世f7川麓』_v北。。岛1。饵，曾证CVD棼羔，I_h：∽f木装 ●?I’要由叱，H?#／；i做．】t段ljf0‘¨坞。?茉÷52、】+f≮一妻及抽气系统j’醴t系绩‘：二成。微、瑶 ，-一rh6n【、＼j，土：㈠川‘’r‘+25G㈠／m．hmIf!”，．囊岢。々毓J’】韭j兰一1量青【]．／、fi。，一 4 A。I，ECR’一；|。1I亍』：j豆心：±：：f』儿“j，、。计川曩巾12c113×20c13_li-呻jsI=…x盯}，。m 0离予．二主迸场I{]绢栩ij∽j。孙向J生刁J的线圈I，千¨l、出腻而成．：i跳场／。875(；auss 埘．散让z出。振”j r“f钎艘“：j。。-门‘j离j’：：，，-q线㈦d，征儿80A时L：CP,：．ji：‘王!，p ——1Ol—— 口的距离约为115mm，共振区附近的等离子体密度为10Itcm～． 处理室中基片架可轴向伸缩，调节加热电源，可使基片从室温加至400℃．基片架与 真空室及地之间绝缘，一个13．56MHz的射频偏 压可以被独立调节和控制地加在特沉积的基片